[发明专利]保护膜形成用复合片

说明书

技术领域

本发明涉及例如以保护半导体为目的的在粘合片上形成保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片，特别是涉及兼具保护膜形成用膜和切割胶带的功能的保护膜形成用复合片。

背景技术

近年来，使用被称为倒装方式的安装方法进行了半导体装置的制造。在倒装方式中，半导体芯片的形成有凸块等电极的芯片表面与基板等对置并接合，另一方面，芯片背面露出，因此，用保护膜进行了保护。保护膜可以通过例如树脂涂敷等来形成，近年来也逐渐采用通过将保护膜形成用膜粘贴在半导体晶片的背面来形成的方法。

另外，众所周知，将半导体晶片对每个电路进行单片化而制成半导体芯片时，为了固定半导体晶片，要在半导体晶片的背面粘贴切割胶带。

为了降低制造成本、简化工序等，保护膜形成用膜和切割胶带有时被一体化，以保护膜形成用复合片的形式被使用。具体而言，保护膜形成用复合片是在粘合片的粘合剂面上粘贴保护膜形成用膜而构成的(参考专利文献1～4等)，所述粘合片是在基材上设置粘合剂层而成的。在专利文献1、2中公开了以下内容：在该保护膜形成用复合片中，将粘合剂层与保护膜形成用膜的剥离力调节至特定的范围。在专利文献3、4中公开了一种通过放射线辐射而降低对倒装片型半导体背面用膜的粘合力的放射线固化型粘合剂层、通过放射线辐射而预固化的粘合剂层。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-151362号公报

专利文献2：日本特开2012-33637号公报

专利文献3：日本特开2011-228450号公报

专利文献4：日本特开2011-228451号公报

发明内容

发明要解决的课题

通常，上述保护膜形成用复合片形成卷状或片的叠层品而进行输送、使用，在这种情况下，保护膜形成用复合膜上粘贴有保护用的剥离膜。剥离膜在将保护膜形成用复合片粘贴于晶片上时被剥离去除，但在剥离膜的剥离去除的同时，保护膜形成用膜与粘合剂层之间有时会发生层间剥离。

但是，如果使用发生了层间剥离的保护膜形成用复合片制成半导体芯片，则存在因粘合剂层导致晶片保持性能变差而在切割时发生不良情况、保护膜保护半导体芯片的性能降低的情况。

另外，在保护膜形成用复合片粘贴于晶片上、并通过切割工序而使晶片成为芯片后，通常在保护膜固化前将各带保护膜的芯片从粘合剂层上剥离。但是，如果粘合剂层与保护膜形成用膜的剥离力增高，则在芯片剥离时会对芯片施加过大的力，有时会产生芯片缺损等芯片不良。

上述层间剥离、芯片不良可以如专利文献1、2所述那样通过对粘合剂层与保护膜形成用膜的剥离力进行调节来在某种程度上防止其中任一种情况，但是难以充分地防止上述两种情况。

本发明是鉴于以上问题而完成的，其课题在于提供一种保护膜形成用复合片，所述保护膜形成用复合片不仅能防止将剥离膜剥离时粘合剂层与保护膜形成用膜之间的层间剥离，而且能够拾取带保护膜的半导体芯片且不会产生芯片不良。

解决课题的方法

本发明人等进行了深入研究，结果发现，为了在拾取带保护膜的半导体芯片时不易引起芯片不良，不仅要使粘合剂层与保护膜形成用膜的剥离力的最大值为给定值以下，而且要防止粘合剂层与保护膜形成用膜之间的层间剥离，为此也需要控制它们之间的剥离力最小值。而且发现，不仅要使其最小值大于给定的值，还需要使其最小值与保护膜形成用膜和剥离膜的剥离力之比为给定的值，从而完成了以下的本发明。

即，本发明提供以下的[1]～[5]。

[1]一种保护膜形成用复合片，其具备：在基材上设置粘合剂层而形成的粘合片、粘贴在所述粘合剂层上的保护膜形成用膜、和粘贴在所述保护膜形成用膜的与粘贴在粘合剂层上的面相反侧的面上的剥离膜，

在试验片宽度25mm、剥离角度180度、测定温度23℃、拉伸速度300mm/min下测定时，将所述保护膜形成用膜与剥离膜之间的剥离力最大值设为α(mN/25mm)、将所述粘合片与保护膜形成用膜之间的剥离力最小值设为β(mN/25mm)、将所述粘合片与保护膜形成用膜之间的剥离力最大值设为γ(mN/25mm)时，α、β、γ具有以下(1)～(3)的关系，

β≥70…(1)

α/β≤0.50…(2)

γ≤2000…(3)。