[发明专利]复合体的制造方法及组合物有效
| 申请号： | 201480017656.2 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105051872B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 茅场靖刚;小野升子;田中博文;铃木常司;三尾茂;高村一夫 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C08G73/02;C08K5/09;C08L79/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;涂琪顺 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。 | ||
| 搜索关键词： | 等电点 复合构件 复合体 阳离子性官能团 重均分子量 聚合物 赋予 制造 | ||
【主权项】：
一种复合体的制造方法，其具有下述工序：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物以及一元羧酸化合物的、pH为2.0～11.0的组合物，复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B并满足所述构件B的表面的等电点＜所述组合物的pH＜所述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，所述构件B的表面的等电点比所述构件A的表面的等电点低2.0以上且所述构件B的表面的等电点为1.0～7.5，以及赋予工序，对所述复合构件的所述构件A的所述表面和所述构件B的所述表面赋予所述组合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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