[发明专利]复合体的制造方法及组合物

权利要求书

1.一种复合体的制造方法，其具有下述工序：

组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物以及一元羧酸化合物的、pH为2.0～11.0的组合物，

复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B并满足所述构件B的表面的等电点＜所述组合物的pH＜所述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，所述构件B的表面的等电点比所述构件A的表面的等电点低2.0以上且所述构件B的表面的等电点为1.0～7.5，以及

赋予工序，对所述复合构件的所述构件A的所述表面和所述构件B的所述表面赋予所述组合物。

2.根据权利要求1所述的复合体的制造方法，所述构件A含有选自由Cu、Al、Ti、Fe、Sn、Cr、Mn、Ni、Pt、Zn和Mg所组成的组中的至少一种元素，所述构件B含有二氧化硅。

3.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述构件A含有Cu元素，所述构件B含有二氧化硅。

4.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述组合物中，钠和钾的含量各自以元素基准计为10质量ppb以下。

5.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其进一步具有加热工序，即将赋予了所述组合物的所述复合构件在温度70℃～125℃的条件下加热。

6.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述构件B含有多孔质材料。

7.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述聚合物的阳离子性官能团当量为27～430。

8.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述聚合物为聚乙烯亚胺或聚乙烯亚胺衍生物。

9.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述聚合物的支化度为48％以上。

10.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述一元羧酸化合物不含羟基和氨基且范德华体积为40cm³/mol以上。

11.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述复合构件满足所述构件B的表面的等电点＜所述组合物的pH＜{(所述构件A的表面的等电点)-1.0}的关系。

12.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其进一步具有洗涤工序，即用温度15℃～100℃的冲洗液对赋予了所述组合物的所述复合构件进行洗涤。

13.根据权利要求12所述的复合体的制造方法，所述冲洗液含有酸，所述酸在1个分子内具有屏蔽活性种的部位和通过加热而与所述聚合物之间形成键的官能团的至少一者。

14.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，其进一步具有高温加热工序，即将赋予了所述组合物的所述复合构件在温度200℃～425℃的条件下进行加热。

15.根据权利要求1或2所述的复合体的制造方法，所述复合构件具有基板、以及设于该基板上的作为所述构件A的导电部和作为所述构件B的绝缘层。

16.一种组合物，其含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000、支化度为48％以上的聚合物、以及一元羧酸化合物，钠和钾的含量各自以元素基准计为10质量ppb以下，pH为2.0～11.0。

17.根据权利要求16所述的组合物，其为半导体用密封组合物。