[发明专利]复合体的制造方法及组合物

说明书

本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

技术领域

本发明涉及复合体的制造方法以及组合物。

背景技术

一直以来，在电子设备领域等各种技术领域中，进行了将含有聚合物的组合物向构件的赋予。

例如，已知对半导体装置的层间绝缘层赋予含有具有2个以上的阳离子性官能团且重均分子量为2000～100000的聚合物的半导体用组合物的技术(例如参照国际公开第2010/137711号小册子)。

发明内容

发明所要解决的课题

然而，在对具有2种以上的构件的复合构件的各构件赋予聚合物时，有时需要使聚合物优先地(优选为选择性地)残留在特定构件上。作为这样的复合构件的一个例子，可以列举具有作为构件的绝缘层和作为其它构件的导电部(例如配线、电极等)的复合构件。在对该例子中涉及的复合构件赋予聚合物时，需要尽量使聚合物残留在绝缘层上从而保护绝缘层，同时尽量使聚合物不残留在导电部以维持导电部表面的电连接性。因此，在对复合构件赋予聚合物时，需要兼具聚合物向绝缘层的残留容易度和聚合物向导电部的残留难度。

本发明是鉴于上述情况而作出的。

即，本发明的课题在于提供一种复合体的制造方法，所述方法在对具有2种以上的构件的复合构件的表面赋予聚合物从而制造具有复合构件和聚合物的复合体时，能够兼具聚合物向特定构件的残留容易度和聚合物向其他构件的残留难度。

此外，本发明的课题还在于提供一种组合物，所述组合物含有聚合物，在对2种以上的复合构件进行赋予时，能够兼具聚合物向特定构件的残留容易度和聚合物向其他构件的残留难度。

用于解决课题的方法

用于解决上述课题的具体方法如下所述。

＜1＞一种复合体的制造方法，其具有下述工序：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B并满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

＜2＞＜1＞所记载的复合体的制造方法，上述构件A含有选自由Cu、Al、Ti、Fe、Sn、Cr、Mn、Ni、Pt、Zn和Mg所组成的组中的至少一种元素，上述构件B含有二氧化硅。

＜3＞＜1＞或＜2＞所记载的复合体的制造方法，上述构件A含有Cu元素，上述构件B含有二氧化硅。

＜4＞＜1＞～＜3＞中的任一项所记载的复合体的制造方法，上述组合物中，钠和钾的含量各自以元素基准计为10质量ppb以下。

＜5＞＜1＞～＜4＞中的任一项所记载的复合体的制造方法，其进一步具有加热工序，即将上述赋予了组合物的上述复合构件在温度70℃～125℃的条件下加热。

＜6＞＜1＞～＜5＞中的任一项所记载的复合体的制造方法，上述构件B含有多孔质材料。