[发明专利]存储器单元结构有效
| 申请号： | 201480017654.3 | 申请日： | 2014-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105051875B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 史考特·E·西利士;D·V·尼尔摩·拉玛斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一种此类方法包含形成存储器单元，其包含：在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆叠；在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔；在所述通孔内形成可编程材料堆叠；及移除所述多个牺牲材料线且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成存储器单元的方法，其包括：形成包含形成于第一电极(204、304)与第二电极(208、308)之间的选择装置(207、307)的选择装置堆叠(204、207、208)；在第一方向上在所述选择装置堆叠(204、207、208)中形成开口，并在所述开口中形成电介质材料(202)；在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线(218)以形成通孔，每一牺牲材料线(218)形成于所述第二电极(208、308)和所述电介质材料(202)上方且与之接触；在所述通孔内形成可编程材料堆叠(208、214、216)；及移除所述多个牺牲材料线(218)且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置(207、307)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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