[发明专利]存储器单元结构

说明书

本发明包含存储器单元结构及其形成方法。一种此类方法包含形成存储器单元，其包含：在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆叠；在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔；在所述通孔内形成可编程材料堆叠；及移除所述多个牺牲材料线且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置。

技术领域

本发明大体上涉及半导体存储器装置及方法，且更特定地说，涉及存储器单元结构及其形成方法。

背景技术

存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、自旋转矩转移随机存取存储器(STTRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM；也被称为磁随机存取存储器)、导电桥接随机存取存储器(CBRAM)等等。

一些类型的存储器装置可为非易失性存储器，且可用于需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的广泛范围的电子应用。非易失性存储器可用于个人计算机、便携式存储器棒、固态硬盘(SSD)、个人数字助理(PDA)、数码相机、蜂窝电话、智能手机、平板计算机、便携式音乐播放器(例如，MP3播放器)、电影播放器及其它电子装置等等中。程序代码及系统数据(例如基本输入/输出系统(BIOS))通常存储于非易失性存储器装置中。

举例来说，许多存储器装置(例如RRAM、PCRAM、MRAM、STTRAM及CBRAM)可包含以(例如)两端交叉点架构而组织的存储器单元阵列。呈两端交叉点架构的存储器单元阵列可包含在存储器单元材料之间具有平面表面的电极。对于丝状型存储器装置(例如RRAM及/或CBRAM)，在电极的平面表面之间的存储器单元的有源区域的位置可为可变的，这是因为电极的平面表面横跨存储器单元材料提供实质上均匀电场。

附图说明

图1是说明存储器单元阵列的部分的框图。

图2A到2D说明根据本发明的一或多个实施例的存储器单元阵列的部分。

图3A到3B说明根据本发明的一或多个实施例的存储器单元阵列的部分的横截面。

具体实施方式

本发明包含存储器单元结构及其形成方法。在一或多个实施例中，形成存储器单元包含：在第一方向上形成包含形成于第一电极与第二电极之间的选择装置的选择装置堆叠；在第二方向上在选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线以形成通孔；在通孔内形成可编程材料堆叠；及移除多个牺牲材料线且蚀刻穿过选择装置堆叠的部分以隔离选择装置。

在一或多个实施例中，存储器单元包含：第一堆叠结构，其包括第一电极、在第一电极上方的选择装置，及第二电极；及第二堆叠结构，其包括在第二电极上方的可编程材料，及在可编程材料上方的第三电极，其中第二堆叠结构是镶嵌结构。

在本发明的下列详细描述中，参考形成本发明的部分且其中作为说明而展示可如何实践本发明的数个实施例的附图。足够详细地描述这些实施例以使所属领域的一般技术人员能够实践本发明的实施例，且应理解，在不脱离本发明的范围的情况下，可利用其它实施例且可作出过程、电及/或结构改变。

如本文中所使用，“数个”某事物可指一或多个此类事物。举例来说，数个存储器装置可指一或多个存储器装置。另外，如本文中所使用的指定符“N”及“M”(尤其是关于图式中的参考数字)指示如此指定的数个特定特征可包含于本发明的数个实施例内。