[发明专利]存储器单元结构

权利要求书

1.一种形成存储器单元的方法，其包括：

形成包含形成于第一电极(204、304)与第二电极(208、308)之间的选择装置(207、307)的选择装置堆叠(204、207、208)；

在第一方向上在所述选择装置堆叠(204、207、208)中形成开口，并在所述开口中形成电介质材料(202)；

在第二方向上在所述选择装置堆叠上方形成多个牺牲材料线(218)以形成通孔，每一牺牲材料线(218)形成于所述第二电极(208、308)和所述电介质材料(202)上方且与之接触；

在所述通孔内形成可编程材料堆叠(208、214、216)；及

移除所述多个牺牲材料线(218)且蚀刻穿过所述选择装置堆叠的部分以隔离所述选择装置(207、307)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻穿过所述选择装置堆叠(204、207、208)的部分包括蚀刻穿过所述第一电极(204、304)以隔离所述选择装置(207、307)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻穿过所述选择装置堆叠(204、207、208)的部分包括蚀刻穿过所述第一电极(204、304)、所述选择装置(207、307)及所述第二电极(208、308)以隔离所述选择装置(207、307)。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述可编程材料堆叠(208、214、216)包括形成镶嵌可编程材料单元堆叠。

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中移除所述多个牺牲材料线(218)包括移除多个碳材料牺牲材料线。

6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中移除所述多个牺牲材料线(218)包括利用氧等离子材料来移除所述多个牺牲材料线。

7.一种形成存储器单元的方法，其包括：

形成包括在衬底材料(201、301)上方的第一电极(204、304)、在所述第一电极(204、304)上方的非欧姆选择装置(207、307)及在所述非欧姆选择装置(207、307)上方的第二电极(208、308)的选择装置堆叠(204、207、208)；

在第一方向上在所述选择装置堆叠(204、207、208)中形成开口，并在所述开口中形成电介质材料(202)；

在所述第二电极(208、308)和所述电介质材料(202)上方形成牺牲材料线(218)，所述牺牲材料线(218)接触所述第二电极(208、308)和所述电介质材料(202)；

在第二方向上通过所述牺牲材料的形成而形成的通孔内形成可编程材料堆叠(208、214、216)；及

挖出所述牺牲材料(218)的部分；及

蚀刻穿过所述选择装置堆叠(204、207、208)的部分以隔离所述选择装置(207、307)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一电极(204、304)、所述第二电极(208、308)及所述选择装置(207、307)是在第一方向上形成。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述牺牲材料(218)是在实质上正交于所述第一方向的第二方向上形成。

10.根据权利要求7到9中任一权利要求所述的方法，其中形成所述选择装置堆叠(204、207、208)包括形成金属-半导体-金属MSM堆叠、金属-绝缘体-金属MIM堆叠及导体-半导体-导体CSC堆叠中的至少一者。