[发明专利]存储器装置中的错误校正操作有效
| 申请号： | 201480015649.9 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN105144302B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 威廉·拉姆 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示存储器装置中的错误校正操作。在至少一个实施例中，存储器装置的内部控制器经配置以独立于来自外部存储器存取装置的指令而对所存储用户数据执行内部错误校正操作并校正所述存储器装置中的用户数据。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 中的 错误 校正 操作 | ||
【主权项】：
一种操作存储器装置的方法，所述方法包括：对存储于所述存储器装置的存储器阵列的第一部分中的用户数据执行错误校正码ECC操作；响应于执行所述ECC操作而确定存储于所述存储器阵列的所述第一部分中的用户数据中是否存在错误；及如果确定存在错误，那么：如果所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元由于阈值电压的降低而促成所述经确定错误，那么在不首先对所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元执行擦除操作的情况下将一或多个编程脉冲施加到所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元。
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