[发明专利]存储器装置中的错误校正操作有效
申请号: | 201480015649.9 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN105144302B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 威廉·拉姆 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C16/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 中的 错误 校正 操作 | ||
1.一种操作存储器装置的方法,所述方法包括:
对存储于所述存储器装置的存储器阵列的第一部分中的用户数据执行错误校正码ECC操作;
响应于执行所述ECC操作而确定存储于所述存储器阵列的所述第一部分中的用户数据中是否存在错误;及
如果确定存在错误,那么:
如果所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元由于阈值电压的降低而促成所述经确定错误,那么在不首先对所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元执行擦除操作的情况下将一或多个编程脉冲施加到所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元。
2.根据权利要求1所述的方法,其中执行错误校正码ECC操作进一步包括:独立于从耦合到所述存储器装置的外部存储器存取装置接收的指令而执行错误校正码ECC操作。
3.根据权利要求2所述的方法,其中独立于从外部存储器存取装置接收的指令而执行错误校正码ECC操作进一步包括:响应于由所述存储器装置的内部控制器产生的命令而执行错误校正码ECC操作。
4.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:在将所述一或多个编程脉冲施加到所述存储器阵列的所述第一部分的所述存储器单元时,抑制所述存储器阵列的所述第一部分的除所述存储器阵列的所述第一部分的经确定为已由于阈值电压的降低而促成所述错误的任何存储器单元之外的存储器单元受到编程。
5.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其中将一或多个编程脉冲施加到所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元进一步包括:仅在所述存储器阵列的所述第一部分的存储器单元均未由于阈值电压的增加而促成所述经确定错误时才将所述一或多个编程脉冲施加到所述存储器阵列的所述第一部分的所述存储器单元。
6.根据权利要求5所述的方法,其中如果确定存在错误,那么所述方法进一步包括:
如果所述存储器阵列的所述第一部分的至少一个存储器单元由于所述至少一个存储器单元的阈值电压的增加而促成所述经确定错误,那么产生经校正用户数据并将所述经校正用户数据存储于所述存储器阵列的第二部分中。
7.根据权利要求6所述的方法,其进一步包括:如果所述存储器阵列的所述第二部分具有不同于所述存储器阵列的所述第一部分的物理地址,那么响应于所述将经校正用户数据存储于所述存储器阵列的所述第二部分中而更新逻辑到物理地址转换数据结构。
8.根据权利要求7所述的方法,其中更新进一步包括:如果所述存储器阵列的所述第二部分具有不同于所述存储器阵列的所述第一部分的物理地址,那么通过将所述存储器阵列的所述第二部分的地址发送到耦合到所述存储器装置的外部存储器存取装置而进行更新,其中所述外部存储器存取装置经配置以维持所述逻辑到物理地址转换数据结构。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在不存在来自所述外部存储器存取装置的更新所述逻辑到物理地址转换数据结构的请求的情况下,由所述存储器装置将所述经更新地址发送到所述外部存储器存取装置。
10.根据权利要求6所述的方法,其中将所述经校正用户数据存储于所述存储器阵列的第二部分中包括:擦除所述存储器阵列的所述第一部分并将所述经校正用户数据存储于所述存储器阵列的所述经擦除第一部分中。
11.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法,其进一步包括:
其中执行所述ECC操作包括:
读取用户数据及对应于所述用户数据的错误校正码ECC数据;及
从所述所读取用户数据产生额外错误校正码ECC数据;
其中确定是否存在错误包括将所述所产生ECC数据与所述所读取ECC数据进行比较;及
如果确定存在错误,那么:
确定哪些存储所述所读取用户数据的存储器单元促成了所述错误;
如果经确定为已促成所述错误的所述存储器单元中的每一者是由于阈值电压的减小而促成所述错误,那么将一或多个编程脉冲施加到所述存储器单元;及
在将所述存储器单元中的至少一者确定为已由于阈值电压的增加而促成所述错误时,产生经校正用户数据并将所述经校正用户数据存储于第二存储器位置中。
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