[发明专利]使用膦制造的量子点在审
| 申请号： | 201480014543.7 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105378027A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·哈里斯;奈杰尔·皮克特;阿不都-瑞曼·伊萨德;马丁·戴维斯;保罗·安东尼·格拉维;纳瑟莉·格雷斯蒂;耶茨·海瑟 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 穆彬 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过将一种以上芯半导体前体与膦在分子簇化合物的存在下反应制备量子点(QD)的方法。一种或多种芯半导体前体提供合并到QD芯半导体材料中的元素。芯半导体也合并由膦提供的磷。膦可以作为气体，或者可以备选地，作为其他材料的加合物，被提供至反应。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 制造 量子 | ||
【主权项】：
一种制备量子点(QD)纳米粒子的方法，所述方法包括：在分子簇化合物上，通过将一种以上半导体前体与膦在所述分子簇化合物的存在下反应，形成芯半导体材料，其中所述芯半导体材料包含磷离子和一种以上由所述半导体前体提供的抗衡离子。
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