[发明专利]使用膦制造的量子点在审
| 申请号： | 201480014543.7 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN105378027A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·哈里斯;奈杰尔·皮克特;阿不都-瑞曼·伊萨德;马丁·戴维斯;保罗·安东尼·格拉维;纳瑟莉·格雷斯蒂;耶茨·海瑟 | 申请（专利权）人： | 纳米技术有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 穆彬 |
| 地址： | 英国曼*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 制造 量子 | ||
1.一种制备量子点(QD)纳米粒子的方法，所述方法包括：
在分子簇化合物上，通过将一种以上半导体前体与膦在所述分子簇化合物的存在下反应，形成芯半导体材料，其中所述芯半导体材料包含磷离子和一种以上由所述半导体前体提供的抗衡离子。
2.权利要求1所述的方法，其中所述芯半导体材料是III-V半导体材料。
3.权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料包含In、Ga、Al或B。
4.权利要求3所述的方法，其中所述半导体材料还包含一种以上第IIA、IIB、IVA或VIA族元素。
5.权利要求1所述的方法，其中所述一种以上半导体前体是第III族-膦、第III族-(TMS)3、第III族-烷基、第III族-芳基、第III族-卤化物、第III族-(肉豆蔻酸根)3、第III族-(乙酸根)3或第III族-(乙酰丙酮根)3。
6.权利要求1所述的方法，其中反应包括在第一温度加热含有所述一种以上半导体前体、所述膦和所述分子簇的溶剂。
7.权利要求6所述的方法，所述方法还包括将所述溶剂加热至第二温度。
8.权利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物是II-VI分子簇化合物。
9.权利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物包含锌和硫。
10.权利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物是[HNEt3]4[Zn10S4(SPh)16]。
11.权利要求1所述的方法，其中所述反应包括在含有所述一种以上半导体前体和所述分子簇的溶剂中提供气态膦。
12.权利要求1所述的方法，其中反应包括在含有所述一种以上半导体前体和所述分子簇的溶剂中加热膦的加合物。
13.权利要求1所述的方法，其中反应包括在含有所述一种以上半导体前体和所述分子簇的溶剂中加热金属磷化物或膦的路易斯酸-碱加合物。
14.权利要求13所述的方法，其中所述金属磷化物是Na3P、Ca3P、Zn3P或AlP。
15.权利要求1所述的方法，所述方法还包括将封端剂连接至所述芯半导体材料的表面。
16.权利要求1所述的方法，所述方法还包括在第一半导体材料的表面上形成第二半导体材料。
17.权利要求16所述的方法，其中所述第二半导体材料是II-VI半导体材料。
18.权利要求16所述的方法，其中所述第二半导体材料是ZnS。
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