[发明专利]氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜有效
| 申请号： | 201480009608.9 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN105074045B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 斋藤淳;森理惠 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;G11B7/2548;G11B7/2578;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn7at％以上及In0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，并具有以固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 溅射 制造 方法 记录 介质 保护膜 | ||
【主权项】：
一种氧化物溅射靶，其特征在于，所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，所述氧化物烧结体具有固溶有In的Zn2SnO4作为主相的组织。
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