[发明专利]氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜

说明书

技术领域

本发明涉及一种氧化物溅射靶及其制造方法。具体而言，本发明涉及一种用于形成例如使用于Blu-ray Disc(注册商标：以下称为BD)等的光记录介质用保护膜的氧化物溅射靶及其制造方法。

本申请主张基于2013年4月8日在日本申请的专利申请2013-080247号的优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，随着照片和动画的高像素化，记录于光记录介质等时的数字数据增大，要求记录介质的高容量化，已出售有作为高记录容量的光记录介质而通过双层记录方式具有50GB的容量的BD。对于该BD，今后也要求更进一步的高容量化，盛行通过记录层的多层化实现高容量化的研究。

专利文献1：日本专利公开2009-26378号公报

专利文献2：日本专利公开2005-228402号公报

专利文献3：日本专利公开2005-154820号公报

在此，对于以往技术，以下参考上述专利文献进行说明。

将有机色素用作记录层的类型的记录介质中，与将无机物用作记录层时相比，记录时的激光照射引起的记录层的变形较大。因此，如上述专利文献1中记载，与其记录层相邻的保护层中需要较低的硬度。因此，以往作为该保护层采用具有适当硬度的膜即ZnS-SiO₂或ITO。

然而，作为保护层采用ZnS-SiO₂时，如上述专利文献2中记载，含有硫磺(S)。因此，通过硫磺与反射膜中的金属发生反应，反射膜的反射率下降，因此作为保护层采用ZnS-SiO₂的记录介质存在保存性较低等不良情况。并且，作为保护层采用ITO时，溅射时经常产生颗粒，对磁盘的记录特性、保存性带来不良影响。因此，需频繁进行生产设备的清扫，存在生产率较差的问题。而且，上述专利文献3中，提出有以将氧化锡相作为主相的氧化锡、氧化锌及3价以上的元素的氧化物作为主成分的溅射靶。然而，该溅射靶中的组织中的氧化锡相成为结瘤的原因，存在由此导致产生颗粒的问题。

如此，以往技术中存在问题点，留有课题。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种氧化物溅射靶及其制造方法，所述氧化物溅射靶作为光记录介质保护膜形成用靶，能够形成作为记录介质的保存性较高、柔软且不易破裂的膜，并且能够进行直流(DC)溅射且颗粒也较少。

本发明人等对以氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)及3价以上的元素的氧化物作为主成分的ZnO系溅射靶进行研究的结果，得到了以下的见解。若在非氧化气氛中加压烧结作为3价以上的元素的氧化物添加氧化铟(In₂O₃)的靶制造原料，则产生固溶有In的Zn₂SnO₄相且产生些许的氧缺陷，由此实现进一步降低靶本身的比电阻。由此，能够进行稳定的直流(DC)溅射。并且，靶中不包含硫磺成分，因此能够抑制靶成分对被层叠的反射层的反射率的影响。其结果，若利用该溅射靶进行溅射，则能够形成保存性较高而且柔软且不易破裂的Sn-In-Zn-O四元系氧化膜。

因此，本发明从上述见解出发，为了解决所述课题而采用以下构成。

(1)本发明的第一方式所涉及的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，所述氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn₂SnO₄作为主相的组织。

(2)本发明的第二方式所涉及的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，所述氧化物烧结体具有以固溶有In的Zn₂SnO₄作为主相的组织。