[发明专利]氧化物溅射靶、其制造方法及光记录介质用保护膜

权利要求书

1.一种氧化物溅射靶，其特征在于，

所述氧化物溅射靶为如下组成的氧化物烧结体，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成，Sn与Zn的含有原子比Sn/(Sn+Zn)为0.5以下，且Sn、Cr、Ge、Zn的含有原子比(Sn+Cr+Ge)/(Sn+Cr+Ge+Zn)为0.6以下，

所述氧化物烧结体具有固溶有In的Zn₂SnO₄作为主相的组织。

2.一种氧化物溅射靶的制造方法，其特征在于，其为权利要求1所述的氧化物溅射靶的制造方法，

将配合SnO₂粉末、In₂O₃粉末及ZnO粉末且进一步配合Cr₂O₃粉末及GeO₂粉末中的一种以上并混合而获得的混合粉末，在真空中或惰性气体中，以800～1100℃的温度、100～500kgf/cm²的压力，加压烧成2～9小时。

3.一种光记录介质用保护膜，其特征在于，

使用权利要求1所述的氧化物溅射靶来溅射成膜，

并且是如下成分组成的氧化物，即，相对于金属成分总量，含有Sn：7at％以上及In：0.1～35.0at％，而且含有总计为1.0～30.1at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免的杂质构成。