[发明专利]半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置有效
| 申请号： | 201480003304.1 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104854766B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 谷健太郎;川上俊之;有吉章 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 吴秋明 |
| 地址： | 日本国大阪府大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光元件(40)具备由半导体构成的基板(41)；层叠在基板(41)上并包含活性层(42e)的半导体层叠膜(42)；相对于基板(41)在形成有半导体层叠膜(42)一侧的与活性层(42e)平行的面设置的第1电极(47)以及第2电极(48)；和设置在与活性层(42e)垂直的相对置的两端面(40a、40b)的端面保护膜(55)，在半导体激光元件(40)中，将形成端面保护膜(55)的一个端面(40a)作为半导体激光元件(40)的固定面使用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 以及 使用 近场 射出 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光元件，具备：由半导体构成的基板；层叠在所述基板上并且包含活性层的半导体层叠膜；相对于所述基板在形成有所述半导体层叠膜的一侧的与所述活性层平行的面设置的第1电极以及第2电极；和在与所述活性层垂直的相对置的两端面设置的端面保护膜，其中，将形成有所述端面保护膜的一个所述端面作为所述半导体激光元件的固定面使用，所述第1电极设置在通过对所述半导体层叠膜进行蚀刻所形成的下挖部，所述第2电极设置在所述半导体层叠膜的未被蚀刻的部分即发光部上，在所述固定面上设置导电膜。
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