[发明专利]半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置

说明书

技术领域

本发明涉及单面双电极型的半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置。

背景技术

近年来，在激光加工和大容量存储的领域，利用近场光，使由于光的衍射极限而在过去不能实现的微细加工和高密度记录变得可能。射出近场光的近场光射出装置将激光引导到配置近场光发生元件的光波导，将由近场光发生元件产生的近场光照射到所期望的区域。

利用近场光来进行高密度记录的热辅助磁记录，为了使磁化更加稳定，使用由磁各向异性能较大的磁性材料形成的磁记录介质。并且，通过近场光的加热来使该磁记录介质的写入数据的部分的各向异性磁场降低，紧接其后施加写入磁场来进行微小的尺寸的写入。

在专利文献1公开现有的热辅助磁记录头。图14、图15表示该热辅助磁记录头的概略主视图以及主要部分立体图。热辅助磁记录头1具备浮动块10(slider)以及半导体激光元件40，配置在磁盘D上。

浮动块10在旋转的磁盘D上浮起，在面对磁盘D的一端部设置磁记录部13以及磁再现部14。在磁记录部13的近旁设置光波导15，在光波导15内配置产生近场光的近场光发生元件(未图示)。在浮动块10的背面侧(与磁盘D相反的一侧)的设置面10a图案形成供电用的端子17、18。

半导体激光元件40在基板41上形成半导体层叠膜42，由在半导体层叠膜42的上部所形成的脊部49形成条带状的光波导46。在基板41的底面形成第1电极47，在半导体层叠膜42的上表面形成第2电极(未图示)。

半导体激光元件40的第2电极经由焊料29粘结在副基台21的形成有端子部22的端子面21b上。与副基台21的端子面21b正交的前面21a经由粘结剂等的固定构件19固着在浮动块10的设置面10a。这时，光波导46的一端面的射出部46a与浮动块10的光波导15对置配置。

第1电极47经由引线7与端子17连接，端子部22经由引线8与端子18连接。由于第1电极47以及端子部22面向同一方向(图14中左方)配置，因此能容易地连接引线7、8。

若对第1电极47与端子部22间施加电压，则从射出部46a射出激光。从射出部46a射出的激光在浮动块10的光波导15中导波而由近场光发生元件产生近场光。磁盘D由于从光波导15射出的近场光的热而局部地各向异性磁场降低，由磁记录部13进行磁记录。由磁再现部14读出记录在磁盘D的数据。

另外，半导体激光元件40的发热经由焊料29传递到副基台21，经由固定构件19传递到浮动块10。由此，半导体激光元件40的发热从副基台21以及浮动块10放热。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2012-18747号公报(第7页～第22页、第2图)

发明的概要

发明要解决的课题

根据上述现有的热辅助磁记录头1，将在端子面21b粘结了半导体激光元件40的副基台21粘结在浮动块10。这时，如图16所示那样，若半导体激光元件40的射出部46a比副基台21的前面21a在Z方向上更突出，就会变成接合不良。即，由于半导体激光元件40碰撞到浮动块10，因此变得无法将副基台21粘结在浮动块10。

另外，在如图17所示那样副基台21的前面21a相对于半导体激光元件40的射出部46a在Z方向上较大地突出的情况下也会变成接合不良。即，由于从射出部46a射出的激光L扩散，因此入射到浮动块10的光波导15(参考图14)的激光L减少。由此，若使从半导体激光元件40射出的激光的输出较大，则半导体激光元件40的负载增加，从而可靠性降低。此外，半导体激光元件40的发热增加，由于热应变等而使浮动块10的光波导15的折射率发生变化，从而得不到所期望的近场光。

另外，若半导体激光元件40在与端子面21b平行的面内、或与前面21a以及端子面21b垂直的面内倾斜，则射出部46a和光波导15的对位变得困难。

由于这些，需要将半导体激光元件40相对于副基台21高精度对位(例如Z方向的位置精度为±1～2μm)。因此，存在热辅助磁记录头1的工时变大且成品率降低的问题。

另外，并不限于热辅助磁记录头1，在将半导体激光元件40设于光波导中配置了近场光发生元件的光学构件上的近场光射出装置中，同样有工时变大且成品率降低的问题。

发明内容

本发明目的在于，提供能谋求工时削减以及成品率提升的近场光射出装置以及用在其中的半导体激光元件。

用于解决课题的手段