[发明专利]半导体激光元件以及使用该半导体激光元件的近场光射出装置

权利要求书

1.一种半导体激光元件，具备：

由半导体构成的基板；

层叠在所述基板上并且包含活性层的半导体层叠膜；

相对于所述基板在形成有所述半导体层叠膜的一侧的与所述活性层平行的面设置的第1电极以及第2电极；和

在与所述活性层垂直的相对置的两端面设置的端面保护膜，其中，

将形成有所述端面保护膜的一个所述端面作为所述半导体激光元件的固定面使用，

所述第1电极设置在通过对所述半导体层叠膜进行蚀刻所形成的下挖部，所述第2电极设置在所述半导体层叠膜的未被蚀刻的部分即发光部上，

在所述固定面上设置导电膜。

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

依次层叠基底层、阻挡层以及反应层来形成所述导电膜。

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于，

振荡波长为650nm～1100nm。

4.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述基板的厚度为所述两端面间的长度的1/2以上或者150μm以上。

5.根据权利要求2所述的半导体激光元件，其特征在于，

依次层叠第1导电型半导体层、所述活性层、第2导电型半导体层来形成所述半导体层叠膜，在所述基板上层叠绝缘膜以及所述导电膜。

6.根据权利要求5所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述基板是半绝缘性基板。

7.根据权利要求5或6所述的半导体激光元件，其特征在于，

在所述基板与第1导电型半导体层之间设有绝缘层。

8.根据权利要求5或6所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述绝缘膜由所述端面保护膜形成。

9.一种近场光射出装置，具备：

权利要求1～8中任一项所述的半导体激光元件；和

具有产生近场光的近场光发生元件的光学构件，

将所述固定面固定在所述光学构件上。