[实用新型]一种半导体晶体管的终端隔离结构

摘要

一种半导体晶体管的终端隔离结构，包括重掺杂N型硅衬底，N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层中间隔设有若干P型掺杂保护环，及重掺杂N型截止环，在P型掺杂保护环上依次设有P型重掺杂半导体区和氧化层薄膜，在相邻的氧化层薄膜之间的N型掺杂外延层上方设有场氧化层，在每个场氧化层与与其相邻的氧化层薄膜上面均设有场板，在场板、场氧化层及氧化层薄膜上设有钝化层；在N型掺杂外延层中间隔设置有从左至右宽度、深度逐渐减小的若干P型掺杂半导体沟槽，其上端深入其上方P型掺杂保护环中并与P型重掺杂半导体区接触；P型掺杂半导体沟槽填充有掺杂有P型杂质的多晶硅或单晶硅。该结构面积小，芯片利用面积高，同时提高了耐压性能。

主权项

一种半导体晶体管的终端隔离结构，其包括重掺杂N型硅衬底，在N型硅衬底上设有的N型掺杂外延层，其特征在于在N型掺杂外延层中间隔设有从左至右间隙逐渐增大的若干P型掺杂保护环，在P型掺杂保护环的右侧的N型掺杂外延层中设有重掺杂N型截止环，在每个所述P型掺杂保护环中设有P型重掺杂半导体区，在每个所述P型重掺杂半导体区上方设有氧化层薄膜，在相邻的所述氧化层薄膜之间的N型掺杂外延层上方设有场氧化层，在每个所述场氧化层与与其相邻的所述氧化层薄膜上面均设有场板，在所述场板、所述场氧化层及所述氧化层薄膜上设有钝化层；在所述N型掺杂外延层中间隔设置有从左至右宽度、深度逐渐减小的若干P型掺杂半导体沟槽，每个所述P型掺杂半导体沟槽上端深入其上方的所述P型掺杂保护环中，并与所述P型重掺杂半导体区接触；所述P型掺杂半导体沟槽填充有掺杂有P型杂质的多晶硅或单晶硅。