[实用新型]一种半导体晶体管的终端隔离结构

权利要求书

1.一种半导体晶体管的终端隔离结构，其包括重掺杂N型硅衬底，在N型硅衬底上设有的N型掺杂外延层，其特征在于在N型掺杂外延层中间隔设有从左至右间隙逐渐增大的若干P型掺杂保护环，在P型掺杂保护环的右侧的N型掺杂外延层中设有重掺杂N型截止环，在每个所述P型掺杂保护环中设有P型重掺杂半导体区，在每个所述P型重掺杂半导体区上方设有氧化层薄膜，在相邻的所述氧化层薄膜之间的N型掺杂外延层上方设有场氧化层，在每个所述场氧化层与与其相邻的所述氧化层薄膜上面均设有场板，在所述场板、所述场氧化层及所述氧化层薄膜上设有钝化层；在所述N型掺杂外延层中间隔设置有从左至右宽度、深度逐渐减小的若干P型掺杂半导体沟槽，每个所述P型掺杂半导体沟槽上端深入其上方的所述P型掺杂保护环中，并与所述P型重掺杂半导体区接触；所述P型掺杂半导体沟槽填充有掺杂有P型杂质的多晶硅或单晶硅。

2.根据权利要求1所述的半导体晶体管的终端隔离结构，其特征在于所述P型掺杂保护环和P型重掺杂半导体区的个数分别为1～12个。

3.根据权利要求1所述的半导体晶体管的终端隔离结构，其特征在于所述P型掺杂半导体沟槽的个数为2～10个。

4.根据权利要求1所述的半导体晶体管的终端隔离结构，其特征在于所述场板的个数为2～13个。

5.根据权利要求1所述的半导体晶体管的终端隔离结构，其特征在于所述氧化层薄膜厚度为300～3000埃。

6.根据权利要求1所述的半导体晶体管的终端隔离结构，其特征在于所述场氧化层厚度为3000～25000埃。

7.根据权利要求1所述的半导体晶体管的终端隔离结构，其特征在于所述P型掺杂半导体沟槽中掺杂P型杂质的掺杂浓度为所述N型掺杂外延层的掺杂浓度的0.3～3倍。