[实用新型]电容结构及电容式MEMS器件有效
| 申请号： | 201420787113.6 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN204434267U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郭梅寒;王辉 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种电容结构及电容式MEMS器件，包括：多个第一极板和多个第二极板，第一极板和第二极板之间沿第一方向交替设置；其中，在第一方向的切面上，第一极板和第二极板之间有交叠区域，且第一极板的高度和第二极板的高度均大于交叠区域的高度。本实用新型提供的技术方案，通过将第一极板和第二极板的朝向相同的两端均设置高低差，即在第一方向的切面上，第一极板的两端均高于第二极板具有相同朝向的两端。当采用上述电容结构应用于电容电极中，且对电容电极通电而使得第一极板和第二极板沿极板高度的延伸方向相对运动时，电容电极的电容大小变化率大，进而提高了电容式MEMS器件的驱动和检测能力，提高了微机械器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 结构 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种电容结构，应用于电容式MEMS器件，其特征在于，包括：多个第一极板和多个第二极板，所述第一极板和所述第二极板之间沿第一方向交替设置；其中，在所述第一方向的切面上，所述第一极板和所述第二极板之间有交叠区域，且所述第一极板的高度和所述第二极板的高度均大于所述交叠区域的高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深迪半导体（上海）有限公司，未经深迪半导体（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420787113.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
