[实用新型]电容结构及电容式MEMS器件有效
| 申请号： | 201420787113.6 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN204434267U | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郭梅寒;王辉 | 申请（专利权）人： | 深迪半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 结构 mems 器件 | ||
1.一种电容结构，应用于电容式MEMS器件，其特征在于，包括：
多个第一极板和多个第二极板，所述第一极板和所述第二极板之间沿第一方向交替设置；
其中，在所述第一方向的切面上，所述第一极板和所述第二极板之间有交叠区域，且所述第一极板的高度和所述第二极板的高度均大于所述交叠区域的高度。
2.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，在所述第一方向的切面上，多个所述第一极板朝向相同的端部相齐平，且多个所述第二极板朝向相同的端部相齐平。
3.根据权利要求2所述的电容结构，其特征在于，在所述第一方向的切面上，所述第一极板和所述第二极板的高度相同或不同。
4.根据权利要求1所述的电容结构，其特征在于，所述第一极板和第二极板均为半导体极板或金属极板。
5.根据权利要求4所述的电容结构，其特征在于，所述第一极板和第二极板为硅极板或锗极板。
6.一种电容式MEMS器件，包括电容电极，所述电容电极包括相对应设置的固定梳齿和可动梳齿，其特征在于，所述固定梳齿包括多个第一极板，所述可动梳齿包括多个第二极板，所述第一极板和第二极板之间沿第一方向交替设置；
其中，在所述第一方向的切面上，所述第一极板和所述第二极板之间有交叠区域，且所述第一极板的高度和第二极板的高度均大于所述交叠区域的高度。
7.根据权利要求6所述的电容式MEMS器件，其特征在于，在所述第一方向的切面上，多个所述第一极板朝向相同的端部相齐平，且多个所述第二极板朝向相同的端部相齐平。
8.根据权利要求7所述的电容式MEMS器件，其特征在于，在所述第一方向的切面上，所述第一极板和所述第二极板的高度相同或不同。
9.根据权利要求6所述的电容式MEMS器件，其特征在于，所述第一极板和第二极板均为半导体极板或金属极板。
10.根据权利要求9所述的电容式MEMS器件，其特征在于，所述第一极板和第二极板为硅极板或锗极板。
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