[实用新型]一种双向温控电路

摘要

本实用新型公开了一种双向温控电路，其中，第一通用输入输出端口连接第五三极管的基极，第五三极管的集电极连接第六三极管的基极；电源输入端分别连接第六三极管的集电极、第一N沟道MOSFET管的栅极、第二P沟道MOSFET管的栅极；第一N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第一N沟道MOSFET管的源极连接第二P沟道MOSFET管的源极；第二通用输入输出端口连接第七三极管的基极，第七三极管的集电极连接第八三极管的基极；电源输入端分别连接第八三极管的集电极、第三P沟道MOSFET管的栅极、第四N沟道MOSFET管的栅极；第四N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第三P沟道MOSFET管的源极连接第四N沟道MOSFET管的源极。通过将继电器更换为MOSFET管，提高了工作效率，特别适用于半导体激光器。

主权项

一种双向温控电路，其特征在于，第一通用输入输出端口连接第五三极管的基极，第五三极管的集电极连接第六三极管的基极，还通过第一个第二电阻连接电源输入端；电源输入端还通过第二个第二电阻分别连接第六三极管的集电极、第一N沟道MOSFET管的栅极、第二P沟道MOSFET管的栅极；第一N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第二P沟道MOSFET管的漏极接地；第一N沟道MOSFET管的源极连接第二P沟道MOSFET管的源极，用作正极输出；第五三极管的发射极、第六三极管的发射极接地；第二通用输入输出端口连接第七三极管的基极，第七三极管的集电极连接第八三极管的基极，还通过第三个第二电阻连接电源输入端；电源输入端还通过第四个第二电阻分别连接第八三极管的集电极、第三P沟道MOSFET管的栅极、第四N沟道MOSFET管的栅极；第三P沟道MOSFET管的漏极接地；第四N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第三P沟道MOSFET管的源极连接第四N沟道MOSFET管的源极，用作负极输出；第七三极管的发射极、第八三极管的发射极接地。