[实用新型]一种双向温控电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及激光领域，尤其涉及的是，一种双向温控电路。

背景技术

在光学领域中，一些半导体激光器工作对温度的要求很高，最佳工作温度通常在20-30度左右；然而采取一种电流正反向控制半导体致冷器(TEC)能实现此温度控制。通常控制电流正反向是用MCU检测激光器温度，判断与实际需求温度对比来用高低电平控制GPIO(General Purpose Input Output，通用输入输出)-1、GPIO2端口吸合继电器来实现；但是在需要大电流时，继电器型号体积大，而且瞬间吸合电流很大，通常在50-100MA以上，MCU提供的电流无法正常驱动继电器，需外加辅助电源供给才能正常工作。

但是，该电路设计复杂且体积大、效率低，随着现在小型化、节能要求的提高这样设计很难实现理想标准。因此，现有技术需要改进。

实用新型内容

本实用新型提供一种新的双向温控电路，所要解决的技术问题包括：如何设置MOSFET管(金属-氧化层半导体场效晶体管，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)电路以替代现有的继电器电路、如何在该双向温控电路中设置三极管的数量和位置及其连接、如何在该双向温控电路中设置N沟道MOSFET管与P沟道MOSFET管的数量和位置及其连接、如何在该双向温控电路中设置正极输出与负极输出、如何设置各MOSFET管与各三极管的连接关系等。

本实用新型的技术方案如下：一种双向温控电路，其中，第一通用输入输出端口连接第五三极管的基极，第五三极管的集电极连接第六三极管的基极，还通过第一个第二电阻连接电源输入端；电源输入端还通过第二个第二电阻分别连接第六三极管的集电极、第一N沟道MOSFET管的栅极、第二P沟道MOSFET管的栅极；第一N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第二P沟道MOSFET管的漏极接地；第一N沟道MOSFET管的源极连接第二P沟道MOSFET管的源极，用作正极输出；第五三极管的发射极、第六三极管的发射极接地；第二通用输入输出端口连接第七三极管的基极，第七三极管的集电极连接第八三极管的基极，还通过第三个第二电阻连接电源输入端；电源输入端还通过第四个第二电阻分别连接第八三极管的集电极、第三P沟道MOSFET管的栅极、第四N沟道MOSFET管的栅极；第三P沟道MOSFET管的漏极接地；第四N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；第三P沟道MOSFET管的源极连接第四N沟道MOSFET管的源极，用作负极输出；第七三极管的发射极、第八三极管的发射极接地。

优选的，第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管均为NPN型三极管。

优选的，NPN型三极管的型号为3904。

优选的，第五三极管的发射极与第六三极管的发射极共地连接。

优选的，第七三极管的发射极与第八三极管的发射极共地连接。

优选的，第二P沟道MOSFET管的漏极与第三P沟道MOSFET管的漏极共地连接。

优选的，第一通用输入输出端口通过第一个第一电阻连接第五三极管的基极，第二通用输入输出端口通过第二个第一电阻连接第七三极管的基极。

优选的，第一电阻与第二电阻的阻值均为1kΩ。

优选的，第一电阻的型号为0603。

优选的，第二电阻的型号为1206。

优选的，P沟道MOSFET管的型号为Si7463，N沟道MOSFET管的型号为Si7884。

采用上述方案，本实用新型将继电器更换为MOSFET管控制，这样既能缩小体积结构，又减小了驱动电流，从而提高了工作效率，特别适用于一些发热量大且对温度要求高的光学器件，尤其是半导体激光器，具有很高的应用价值。

附图说明

图1为本实用新型的一个实施例的示意图；

图2为本实用新型的另一个实施例的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例，对本实用新型进行更详细的说明。需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。本说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。