[实用新型]一种双向温控电路有效
| 申请号： | 201420758797.7 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN204229263U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 李家超;张大为;陈彦民;王玉鲁;韩涛 | 申请（专利权）人： | 深圳极光世纪科技有限公司 |
| 主分类号： | G05D23/19 | 分类号： | G05D23/19 |
| 代理公司： | 深圳华奇信诺专利代理事务所(普通合伙) 44328 | 代理人： | 宋建平 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双向 温控 电路 | ||
1.一种双向温控电路，其特征在于，
第一通用输入输出端口连接第五三极管的基极，第五三极管的集电极连接第六三极管的基极，还通过第一个第二电阻连接电源输入端；
电源输入端还通过第二个第二电阻分别连接第六三极管的集电极、第一N沟道MOSFET管的栅极、第二P沟道MOSFET管的栅极；
第一N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；
第二P沟道MOSFET管的漏极接地；
第一N沟道MOSFET管的源极连接第二P沟道MOSFET管的源极，用作正极输出；
第五三极管的发射极、第六三极管的发射极接地；
第二通用输入输出端口连接第七三极管的基极，第七三极管的集电极连接第八三极管的基极，还通过第三个第二电阻连接电源输入端；
电源输入端还通过第四个第二电阻分别连接第八三极管的集电极、第三P沟道MOSFET管的栅极、第四N沟道MOSFET管的栅极；
第三P沟道MOSFET管的漏极接地；
第四N沟道MOSFET管的漏极连接电源输出端；
第三P沟道MOSFET管的源极连接第四N沟道MOSFET管的源极，用作负极输出；
第七三极管的发射极、第八三极管的发射极接地。
2.根据权利要求1所述双向温控电路，其特征在于，第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管均为NPN型三极管。
3.根据权利要求2所述双向温控电路，其特征在于，NPN型三极管的型号为3904。
4.根据权利要求1所述双向温控电路，其特征在于，第五三极管的发射极与第六三极管的发射极共地连接。
5.根据权利要求1所述双向温控电路，其特征在于，第七三极管的发射极与第八三极管的发射极共地连接。
6.根据权利要求1所述双向温控电路，其特征在于，第二P沟道MOSFET管的漏极与第三P沟道MOSFET管的漏极共地连接。
7.根据权利要求1所述双向温控电路，其特征在于，第一通用输入输出端口通过第一个第一电阻连接第五三极管的基极，第二通用输入输出端口通过第二个第一电阻连接第七三极管的基极。
8.根据权利要求7所述双向温控电路，其特征在于，第一电阻与第二电阻的阻值均为1kΩ。
9.根据权利要求8所述双向温控电路，其特征在于，第一电阻的型号为0603。
10.根据权利要求8所述双向温控电路，其特征在于，第二电阻的型号为1206。
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