[实用新型]膜体与集成电路分离装置有效
| 申请号： | 201420632427.9 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN204118050U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 赖宏能;许志宏 | 申请（专利权）人： | 苏州均华精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;徐丹 |
| 地址： | 215101 江苏省苏州市吴中区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种膜体与集成电路分离装置，其系供一膜体设置，该膜体的一面贴附有至少一集成电路，其特征在于：所述膜体与集成电路分离装置具有：一承台，其具有至少一凹槽，各凹槽的底端具有一穿孔；一吹气单元，其系升降地设于所述承台的下方；以及一吸取单元，其系升降地设于所述承台的上方，该吸取单元具有至少一吸取头；其中，所述膜体的另一面贴附于所述承台，各集成电路相对于各凹槽；吸取单元与吹气单元分别提供一负压气体与一高压气体，而使集成电路与膜体二者相分离，藉以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 分离 装置 | ||
【主权项】：
一种膜体与集成电路分离装置，其系供一膜体设置，该膜体的一面贴附有至少一集成电路，其特征在于：所述膜体与集成电路分离装置具有：一承台，其具有至少一凹槽，各凹槽的底端具有一穿孔；一吹气单元，其系升降地设于所述承台的下方；以及一吸取单元，其系升降地设于所述承台的上方，该吸取单元具有至少一吸取头；其中，所述膜体的另一面贴附于所述承台，各集成电路相对于各凹槽；所述吹气单元系提供一高压气体给所述承台，而使所述膜体产生变形；所述吸取单元系提供一负压气体给所述吸取头，使膜体与集成电路相互分离，以使吸取单元的吸取头吸取该集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
