[实用新型]膜体与集成电路分离装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种膜体与集成电路分离装置，其系利用负压气体与高压气体，而使集成电路与膜体二者相互分离。

背景技术

于半导体制程中，利用溅镀技术将金属靶材溅镀于集成电路的表面，其主要目的在于屏蔽电磁干扰（EMI），以提高应用于集成电路的质量与良率。于本案所指之集成电路系泛指晶圆、晶粒、未封装之晶粒、已封装之晶粒、未封胶之晶粒或已封胶之晶粒。

于溅镀制程中，集成电路的一面系贴附于一膜体，该面系紧密贴附于膜体，该面系具有多个接点，该些接点系呈平坦状。集成电路的其余各面，即集成电路的五面，其系进行溅镀制程。

然完成溅镀的集成电路仅能以人工方式一颗一颗由膜体分离，并放置于料盘中。

随着现今电子产业的发达，对于集成电路目标的尺寸与功能的要求系日益提升，因此原集成电路未被溅镀的一面系设有多个凸出接点或被动组件，而凸出接点或被动组件系造成集成电路应与膜体紧密贴附的一面，无法紧密贴附，而使该面与膜体之间具有空隙，该空隙会于溅镀制程中产生溢镀的情况。

如上所述，如何改善溢镀的情况，以及降低人工的使用率于分离集成电路与膜体，其系成为各厂商所探讨的项目。

发明内容                                               

本实用新型目的在于提供一种膜体与集成电路分离装置，其系利用高压气体与负压气体，而使膜体与集成电路二者相分离，以达到自动化分离膜体与集成电路。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种膜体与集成电路分离装置，其系供一膜体设置，该膜体的一面贴附有至少一集成电路，其特征在于：所述膜体与集成电路分离装置具有：

一承台，其具有至少一凹槽，各凹槽的底端具有一穿孔；

一吹气单元，其系升降地设于所述承台的下方；以及

一吸取单元，其系升降地设于所述承台的上方，该吸取单元具有至少一吸取头；

其中，所述膜体的另一面贴附于所述承台，各集成电路相对于各凹槽；所述吹气单元系提供一高压气体给所述承台，而使所述膜体产生变形；所述吸取单元系提供一负压气体给所述吸取头，使膜体与集成电路相互分离，以使吸取单元的吸取头吸取该集成电路。

上述方案中，所述吹气单元具有至少一吹针与一供气与升降模块，该吹针的一端系贴附于该承台的底端，并相对于该穿孔，所述供气与升降模块系耦接该吹针的另一端。再进一步，所述吹针具有一吹孔。

上述方案中，所述吸取单元还具有一负压与升降模块，所述吸取头系相对于所述穿孔，所述负压与升降模块系耦接所述吸取头的一端。再进一步，所述吸取头具有一吸孔；所述吸取单元还具有至少一罩盖，该罩盖系设于所述吸取头的另一端。

综合上述，本实用新型膜体与集成电路分离装置，其吸取单元与吹气单元系分别提供一负压气体与一高压气体，而使集成电路与膜体二者相分离，藉以达到自动化分离膜体与集成电路的效果。

另外，实用新型利用具有凹槽与穿孔的承台，当集成电路设于具有弹性的膜体上时，集成电路的突出接点或被动组件系位于凹槽中，故于进行集成电路溅镀时，突出接点或被动组件系无法被金属薄膜所盖覆。

附图说明

图1为本实用新型所适用的贴附有集成电路的膜体的立体示意图；

图2为本实用新型膜体与集成电路分离装置的动作示意图；

图3为本实用新型膜体与集成电路分离装置的另一动作示意图。

以上附图中：10、膜体；11、集成电路；12、突出接点或被动组件；20、承台；200、凹槽；201、穿孔；21、；吹气单元；210、；吹针；211、；供气与升降模块；212、吹孔；22、吸取单元；220、吸取头；221、负压与升降模块；222、罩盖；223、吸孔。 

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：

实施例： 参见图1-图3所示：

本实施例涉及一种膜体与集成电路分离装置，其应用于具有至少一膜体10，至少一集成电路11系贴附于膜体10的一面，膜体10具有弹性，故集成电路11具有突出接点或被动组件12的一面系紧密贴附于膜体10，突出接点或被动组件12系被膜体10所包覆。膜体10的两面分别具有黏性。

所述膜体与集成电路分离装置具有一承台20、一吹气单元21与一吸取单元22。