[实用新型]一种MOSFET恒功率老化对比测试台有效
申请号: | 201420445671.4 | 申请日: | 2014-08-07 |
公开(公告)号: | CN204177921U | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 贾伟民;朱鹏 | 申请(专利权)人: | 西安芯派电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710075 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型一种MOSFET恒功率老化对比测试台,包括若干级联设置的老化测试电路;老化测试电路包括供电电源、电流设定电路、电压调整电源、反馈控制电路、EUT被测器件、电压电流显示电路、电流采样电路;供电电源的输出端分别连接电流设定电路、反馈控制电路和电压电流显示电路分别为其供电;反馈控制电路采用运算放大器;电流设定电路输出的信号与电流采样电路输出的信号分别接入运算放大器的正向输入端和反向输入端,运算对比后输出的电流控制信号连接到EUT被测器件的栅极;EUT被测器件的漏极连接电压调整电源;电压电流显示电路包括电压表和电流表,电压表连接在EUT被测器件的漏极和源极上,电流表连接在电压采样电路的两端。 | ||
搜索关键词: | 一种 mosfet 功率 老化 对比 测试 | ||
【主权项】:
一种MOSFET恒功率老化对比测试台,其特征在于,包括若干级联设置的老化测试电路;所述的老化测试电路包括供电电源(1)、电流设定电路(2)、电压调整电源(3)、反馈控制电路(4)、EUT被测器件(5)、电压电流显示电路(6)、电流采样电路(7);所述的供电电源(1)的输出端分别连接电流设定电路(2)、反馈控制电路(4)和电压电流显示电路(6)为其供电;所述的反馈控制电路(4)采用运算放大器;电流设定电路(2)输出的信号与电流采样电路(7)输出的信号分别接入运算放大器的正向输入端和反向输入端,运算对比后输出的电流控制信号连接到EUT被测器件(5)的栅极;所述EUT被测器件(5)的漏极连接电压调整电源(3);所述的电压电流显示电路(6)包括电压表和电流表,电压表连接在EUT被测器件(5)的漏极和源极上,电流表连接在电压采样电路(7)的两端,电压采集电路(7)的一端接地,另一端的连接在EUT被测器件(5)源极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安芯派电子科技有限公司,未经西安芯派电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420445671.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:信息处理设备和信息处理方法
- 下一篇:一种终端电能质量监测装置