[实用新型]一种大功率大电流二极管封装结构有效
| 申请号： | 201420417871.9 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204067374U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 邱和平 | 申请（专利权）人： | 阳信金鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 251800 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率大电流二极管封装结构，包括二极管芯片，其特征是：所述二极管芯片上部压设有扁平方头，扁平方头连接有左框架，二极管芯片下部设有右框架，左框架、二极管芯片和右框架安装于透明环氧树脂基板内，左框架和右框架末端分别一体连接设有伸出透明环氧树脂基板的平脚，平脚的厚度为0.12mm，透明环氧树脂基板的高度为1.0mm。本实用新型的有益效果是：产品框架上打破原有常规0.2mm厚度以上的致式，采用超薄式0.12mm厚度低应力纯铜框架，矩阵式新型设计，铜带高温性能好，与锡膏焊料粘接性好，耐高温，匹配性好，收缩率小且尺寸稳定，0.12mm厚度已经满足导电导热性能，且强度好，延展及表面平滑性良好，易于电镀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 电流 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率大电流二极管封装结构，包括二极管芯片（1），其特征是：所述二极管芯片（1）上部压设有扁平方头（2），扁平方头（2）连接有左框架（3），二极管芯片（1）下部设有右框架（4），左框架（3）、二极管芯片（1）和右框架（4）安装于透明环氧树脂基板（5）内，左框架（3）和右框架（4）末端分别一体连接设有伸出透明环氧树脂基板（5）的平脚（6），平脚（6）的厚度为0.12mm，透明环氧树脂基板（5）的高度为1.0mm。
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