[实用新型]一种大功率大电流二极管封装结构有效
| 申请号： | 201420417871.9 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN204067374U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 邱和平 | 申请（专利权）人： | 阳信金鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 251800 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 电流 二极管 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率大电流二极管封装结构，包括二极管芯片（1），其特征是：所述二极管芯片（1）上部压设有扁平方头（2），扁平方头（2）连接有左框架（3），二极管芯片（1）下部设有右框架（4），左框架（3）、二极管芯片（1）和右框架（4）安装于透明环氧树脂基板（5）内，左框架（3）和右框架（4）末端分别一体连接设有伸出透明环氧树脂基板（5）的平脚（6），平脚（6）的厚度为0.12mm，透明环氧树脂基板（5）的高度为1.0mm。
2.根据权利要求1所述的一种大功率大电流二极管封装结构，其特征是：所述扁平方头（2）与二极管芯片（1）之间用锡膏焊料焊接。
3.根据权利要求1所述的一种大功率大电流二极管封装结构，其特征是：所述平脚（6）的宽度为1.30～1.60mm，透明环氧树脂基板（5）宽度为2.40～2.60mm，长度为4.06～4.60mm。
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