[实用新型]静电检测结构有效
| 申请号： | 201420402769.1 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN204167264U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 叶逸舟;朱晓峥;杨晓松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种静电检测结构。所述静电检测结构包括基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。本实用新型利用电容击穿原理，缩短了检测时间，并且能够避免外界因素的干扰，可靠性强。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种静电检测结构，用于检测晶圆表面电荷，其特征在于，包括：基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
