[实用新型]静电检测结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种静电检测结构。 

背景技术

在晶圆制造(wafer process)的某些制程中，涉及使用纯净水(DI water)对晶圆进行清洗。然而水流与旋转的晶圆表面会因摩擦而产生静电效应，这可能会使得晶圆上产生缺陷(defect)。因此，对于机台或者程序(recipe)中所产生的静电量的管控是晶圆制造过程中的一个重要考量指标。 

目前，一种常用的静电测量方法是通过型号为Quantox的机台通过电荷中和的方式测量清洗完成后晶圆带电量。但是，这种方法存在以下缺陷：1、需要较长的测量时间，通常测量一片晶圆需要花费40min，这在大批量生产中，无法满足成批检测的需求，因而得到的测试结果不具有普遍性。2、对于产品的相邻工序之间的时间间隔(Q-time)要求严格，经清洗后出机台的晶圆必须马上送去测量，否则晶圆所带静电会被环境中电荷中和影响量测结果。 

实际生长中发现，在多数情况下，工艺中并不需要清楚的知道晶圆所带电量的确切数值，而是需要比较各种环境条件下晶圆所带电量的相对高低，因此，如何采用一种更加直观又便捷的方式来体现，是业内所急需的。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种静电检测结构，以缩短静电检测时间，并能够便捷的比较出不同情况下晶圆所带电荷量的高低。 

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种静电检测结构，用于检测晶圆表面电荷，包括： 

基底、形成于所述基底上的第一金属块以及形成于所述基底上并位于所述第一金属块一侧的多个间隔分布的第二金属块，所述第一金属块与多个第二金属块距离基底的高度相同；所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等；所述第一金属块通过互连线与基底电性相通。 

可选的，对于所述的静电检测结构，所述第二金属块为矩形，长度为l，宽度为w，且w>2l。 

可选的，对于所述的静电检测结构，所述第一金属块和第二金属块的厚度h相同。 

可选的，对于所述的静电检测结构，所述多个第二金属块到第一金属块之间的距离呈等差分布，最小的距离为d0，d0<sqr(h×l)。 

可选的，对于所述的静电检测结构，所述静电检测结构还包括置于第二金属块一侧的标尺。 

可选的，对于所述的静电检测结构，所述基底、第一金属块、多个第二金属块及互连线之间填充有介电层。 

与现有技术相比，本实用新型提供的静电检测结构，在基底上形成了相间隔的第一金属块和多个第二金属块，第一金属块与基底接通，从而构成了多个一端接地的电容器，则根据不同间距，电容器具有不同的击穿电压，就能够直观的展现出所带电荷量的多少。 

相比现有技术，本实用新型的静电检测结构具有如下优点： 

1、利用本实用新型的静电检测结构，由于在基底上形成有第一金属块和第二金属块，从而形成电容。在进行清洗时，第一金属块通过互连线与基底电性相通，所以产生的电荷被导出，而第二金属块中的电荷依然存在，使得第一金属块和第二金属块之间产生电势差，这会造成电容的击穿。这一过程在清洗时可直接完成，降低了所耗时间，便捷快速； 

2、利用本实用新型的静电检测结构获得的测量结果直观且有效，由于采用了多个第二金属块，所述多个第二金属块与第一金属块之间的间距不等，因此 相当于是多个不同规格的电容，依据被击穿的电容的最大间距，能够直接的比较出在不同情况下晶圆所带电荷量的高低，并且有效的防止了外界环境对晶圆电荷的中和，可信度高； 

3、利用本实用新型的静电检测结构，可以进一步根据电容公式，以及第一金属块和第二金属块直接的间距和介电层的介电常数，来得到具体的电荷量数值。 

附图说明

图1为本实用新型一实施例中静电检测结构的结构剖视示意图； 

图2为本实用新型一实施例中静电检测结构的结构俯视示意图； 

图3为利用本实用新型的静电检测结构的进行检测时的击穿示意图。 

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的静电检测结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。