[实用新型]TFT阵列基板和显示面板

摘要

本实用新型提供了一种TFT阵列基板和显示面板，该阵列基板中，在覆盖在所述栅电极图形之上的第二绝缘层之上采用低温工艺形成钝化层。本实用新型提供的TFT阵列基板在制作过程中，由于形成的钝化层相对比较疏松，不易在活化时因为热胀冷缩而断裂，从而很好的隔离栅极与源漏极，另一方面，由于低温下形成的钝化层相比与高温下形成的钝化层含氢量较高，能够在加氢过程中，更好的对多晶硅层进行加氢，从而获得更好的电学特性的稳定性。

主权项

一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板；形成在所述玻璃基板上的多晶硅层；形成在所述多晶硅层上的第一绝缘层；形成在所述第一绝缘层上的栅电极图形；形成在所述第一绝缘层和所述栅电极图形之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层的源漏电极图形；采用低温工艺形成在所述第二绝缘层和所述源漏电极图形上的钝化层；其中，在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层中均形成有位置相对的源极接触孔和漏极接触孔，且所述源漏电极图形通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的源极接触孔和漏极接触孔连接到多晶硅层。