[实用新型]TFT阵列基板和显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板和显示面板。

背景技术

由于非晶硅(a-Si)本身的缺陷问题，如缺陷态多导致的开态电流低、迁移率低、稳定性差，使得非晶硅在很多领域的应用受到限制。为了弥补非晶硅本身的缺陷，扩大相关产品在相关领域的应用，低温多晶硅(LTPS，简称p-Si)技术应运而生。

图1为现有技术中LTPS TFT阵列基板的结构示意图。如图1所示，LTPSTFT阵列基板包括：基板1、多晶硅层2、第一绝缘层3、栅电极4、第二绝缘层5、源漏电极6、第二绝缘层7、亚克力层8。

其中第一绝缘层3作为栅绝缘层(GI)，一般采用SiOx等绝缘材料，而为了使TFT基板更好的附着保护层，第二绝缘层7一般采用附着性较好的SiNx等材料，第一绝缘层3和第二绝缘层7共同构成层间介质层(Inter-level Dielectric，ILD)。现有技术中第二绝缘层一般采用高温(300℃左右)工艺制作，由于SiNx和SiO2的应力不一样，在活化时极易导致ILD的破裂，从而使得栅极Gate和源漏极SD短路，产生线不良和异显。另外，高温工艺导致SiNx层氢含量少，无法实现充分加氢，导致电学特性不稳定。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种TFT阵列基板，以避免制作TFT基板的过程导致栅极与源漏极的短路现象，并提高TFT阵列基板的电学特性的稳定性。

为了达到上述目的，

本实用新型提供了一种TFT阵列基板，包括：

玻璃基板；

形成在所述玻璃基板上的多晶硅层；

形成在所述多晶硅层上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的栅电极图形；

形成在所述第一绝缘层和所述栅电极图形之上的第二绝缘层；

形成在所述第二绝缘层的源漏电极图形；

采用低温工艺形成在所述第二绝缘层和所述源漏电极图形上的钝化层；

其中，在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层中均形成有位置相对的源极接触孔和漏极接触孔，且所述源漏电极图形通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的源极接触孔和漏极接触孔连接到多晶硅层。

进一步的，所述钝化层的形成温度低于230℃，厚度在与之间。

进一步的，用于形成所述钝化层的材料为SiNx。

进一步的，所述阵列基板还包括：形成在所述钝化层上的有机膜层，所述有机膜层中在与所述源漏电极图形相对的位置上形成像素电极孔。

进一步的，所述第二绝缘层包括形成在所述第一绝缘层和所述栅电极图形之上的SiOx层和形成在所述SiOx上的高温SiNx层。

本实用新型还提供了一种显示面板，包括上述任一项所述的TFT阵列基板。

本实用新型提供的TFT阵列基板中，在源漏极图形上覆盖一层采用低温工艺形成钝化层，这样一方面由于低温形成的钝化层相对比较疏松，不易在活化时因为热胀冷缩而断裂，从而很好的隔离栅极与源漏极，另一方面，由于低温下形成的钝化层相比与高温下形成的钝化层含氢量较高，能够在加氢过程中，更好的对多晶硅层进行加氢，从而获得更好的电学特性的稳定性。

附图说明

图1为现有技术中的TFT阵列基板的截面示意图；

图2为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的制作方法的流程示意图；

图3为本实用新型提供的TFT阵列基板的制作方法中所使用的玻璃基板的截面示意图；

图4为本实用新型提供的TFT阵列基板的制作方法中制作SD图形后的截面示意图；

图5为本实用新型提供的TFT阵列基板的制作方法中制作钝化层之后的截面示意图；

图6为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。

本实用新型提供了一种薄膜场效应晶体管TFT阵列基板的制作方法，如图2所示，包括：

步骤S1，提供玻璃基板；图3为步骤S1中所提供的玻璃基板的示意图，包括玻璃基板1，形成在所述玻璃基板上的多晶硅层2、形成在所述多晶硅层上的第一绝缘层3、形成在所述第一绝缘层上的栅电极图形4、形成在所述第一绝缘层3和所述栅电极图形4之上的第二绝缘层5；

实际应用中，可以采用传统的工艺形成具有上述结构的玻璃基板，其具体过程在此不再说明。