[实用新型]TFT阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

玻璃基板；

形成在所述玻璃基板上的多晶硅层；

形成在所述多晶硅层上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的栅电极图形；

形成在所述第一绝缘层和所述栅电极图形之上的第二绝缘层；

形成在所述第二绝缘层的源漏电极图形；

采用低温工艺形成在所述第二绝缘层和所述源漏电极图形上的钝化层；

其中，在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述钝化层中均形成有位置相对的源极接触孔和漏极接触孔，且所述源漏电极图形通过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的源极接触孔和漏极接触孔连接到多晶硅层。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的形成温度低于230℃，厚度在与之间。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，用于形成所述钝化层的材料为SiNx。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：形成在所述钝化层上的有机膜层，所述有机膜层中在与所述源漏电极图形相对的位置上形成像素电极孔。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括形成在所述第一绝缘层和所述栅电极图形之上的SiOx层和形成在所述SiOx上的高温SiNx层。

6.一种显示面板，包括权利要求1-5任一项所述的TFT阵列基板。