[实用新型]可变电容器以及半导体器件有效
| 申请号： | 201420291041.6 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN204088330U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈威;张晓燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06;H01L29/40;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种可变电容器，包括基底、阱区、N个栅极以及重掺杂区，所述阱区位于所述基底中，所述栅极位于所述阱区上，所述两个以上栅极在第一方向上依次排列，所述重掺杂区位于所述阱区中，所述重掺杂区分布于所述栅极至少部分区域在第二方向的两侧，并位于相邻的所述栅极之间，在所述可变电容器中，所述栅极至少有三个侧边紧邻所述重掺杂区，提高了载流子的数量，降低了所述可变电容器的电阻，从而提高了所述可变电容器的品质因子。本实用新型还提供了一种包含上述可变电容器的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 可变电容器 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种可变电容器，其特征在于，包括： 基底； 阱区，位于所述基底中； N个栅极，位于所述阱区上，所述两个以上栅极在第一方向上依次排列；以及 重掺杂区，位于所述阱区中，所述重掺杂区分布于所述栅极至少部分区域在第二方向的两侧，并位于相邻的所述栅极之间； N≥2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201420291041.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种后置式喷雾器控制箱及高效健康喷雾器
- 下一篇：太阳能杀虫灯系统
- 同类专利
- 专利分类
