[实用新型]可变电容器以及半导体器件有效
| 申请号： | 201420291041.6 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN204088330U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陈威;张晓燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93;H01L29/06;H01L29/40;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可变电容器 以及 半导体器件 | ||
1.一种可变电容器，其特征在于，包括：
基底；
阱区，位于所述基底中；
N个栅极，位于所述阱区上，所述两个以上栅极在第一方向上依次排列；以及
重掺杂区，位于所述阱区中，所述重掺杂区分布于所述栅极至少部分区域在第二方向的两侧，并位于相邻的所述栅极之间；
N≥2。
2.如权利要求1所述的可变电容器，其特征在于，
第1个所述栅极包括第1栅极伸出端以及第1栅极有源端，所述重掺杂区仅位于所述第1栅极有源端的两侧，所述第1栅极有源端位于第1个所述栅极靠近第2个所述栅极的一侧，
第N个所述栅极包括第N栅极伸出端以及第N栅极有源端，所述重掺杂区仅位于所述第N栅极有源端的两侧，所述第N栅极有源端位于第N个所述栅极靠近第N-1个所述栅极的一侧。
3.如权利要求2所述的可变电容器，其特征在于，所述可变电容器还包括隔离区，所述隔离区位于所述基底中，并位于所述重掺杂区外，所述第1栅极伸出端位于部分所述隔离区的上方，所述第N栅极伸出端位于部分所述隔离区的上方。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的可变电容器，其特征在于，N≥3，所述重掺杂区位于整个所述第n栅极在第二方向的两侧，N＞n＞1。
5.如权利要求1所述的可变电容器，其特征在于，所述第一方向为所述栅极的长度方向，所述第二方向为所述栅极的宽度方向。
6.如权利要求1所述的可变电容器，其特征在于，所述基底为第一类型掺杂，所述阱区、栅极和重掺杂区为第二类型掺杂。
7.如权利要求6所述的可变电容器，其特征在于，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型。
8.如权利要求1所述的可变电容器，其特征在于，所述可变电容器还包括 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述阱区之间。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括M个如权利要求1-8中任意一项所述的可变电容器，所述可变电容器在所述第二方向上依次排列，所述可变电容器之间相邻的重掺杂区相互连接，M≥2。
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