[实用新型]可变电容器以及半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种可变电容器以及半导体器件。

背景技术

在典型的通讯系统中，信息信号(例如：电视节目)会被调制(Tune)，并放在高频的载波上以方便信号的传输。借着不同频率具有不同载波信号的特性，同时将许多信息信号传播出去。因此，通讯系统中的接收器需使用电压控制振荡器(Voltage Controlled Oscillator，简称VCO)，以将信息信号从载波中分离出来。在VCO中，包括有由可变电容器和电感所组成的LC(电感电容)电路。藉由可变电容器其电容随着电压调制(或调变)而改变的特性，可以使得VCO的振荡频率随之改变。

常见的可变电容器包括有以金属氧化物半导体晶体管(Metal-Oxide Semiconductor Transistor，MOS)结构为主的MOS可变电容器，以及以p型掺杂区与n型掺杂区交错配置而成的结式(Junction)可变电容器。其中，MOS可变电容器的电路设计为一端将MOS晶体管的源极与漏极与基底互相连接，另一端单独为栅极，如此即可成为MOS可变电容器。

对于可变电容器来讲，品质因子(Q-Factor)是一个非常重要的参数指标，具有高品质因子的可变电容器具有高的能量效率，并且有利于降低VCO电路的相位噪声。而且，对于现有的具有N型栅极和N型有源区的可变电容器来说，可变电容器的品质因子(Q-Factor)不佳，进而影响其电荷储存能力的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种可变电容器以及半导体器件，能够提高所述可变电容器的品质因子。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种可变电容器，包括：

基底；

阱区，位于所述基底中；

N个栅极，位于所述阱区上，所述两个以上栅极在第一方向上依次排列；以及

重掺杂区，位于所述阱区中，所述重掺杂区分布于所述栅极至少部分区域在第二方向的两侧，并位于相邻的所述栅极之间；

N≥2。

可选的，

第1个所述栅极包括第1栅极伸出端以及第1栅极有源端，所述重掺杂区仅位于所述第1栅极有源端的两侧，所述第1栅极有源端位于第1个所述栅极靠近第2个所述栅极的一侧。

第N个所述栅极包括第N栅极伸出端以及第N栅极有源端，所述重掺杂区仅位于所述第N栅极有源端的两侧，所述第N栅极有源端位于第N个所述栅极靠近第N-1个所述栅极的一侧。

可选的，所述可变电容器还包括隔离区，所述隔离区位于所述基底中，并位于所述重掺杂区外，所述第1栅极伸出端位于部分所述隔离区的上方，所述第N栅极伸出端位于部分所述隔离区的上方。

可选的，N≥3，所述重掺杂区位于整个所述第n栅极在第二方向的两侧，N＞n＞1。

可选的，所述第一方向为所述栅极的长度方向，所述第二方向为所述栅极的宽度方向。

可选的，所述基底为第一类型掺杂，所述阱区、栅极和重掺杂区为第二类型掺杂。

可选的，所述第一类型为P型，所述第二类型为N型。

可选的，所述可变电容器还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极与所述阱区之间。

根据本实用新型的另一面，本实用新型还提供一种半导体器件，包括M个如上任意一种所述的可变电容器，所述可变电容器在所述第二方向上依次排列，所述可变电容器之间相邻的重掺杂区相互连接，M≥2。

与现有技术相比，本实用新型提供的可变电容器以及半导体器件具有以下优点：

在本实用新型提供的可变电容器中，所述可变电容器包括基底、阱区、N个栅极以及重掺杂区，所述阱区位于所述基底中，所述栅极位于所述阱区上，所述两个以上栅极在第一方向上依次排列，所述重掺杂区位于所述阱区中，所述重掺杂区分布于所述栅极至少部分区域在第二方向的两侧，并位于相邻的所述栅极之间，与现有技术相比，所述栅极至少有三个侧边紧邻所述重掺杂区，提高了载流子的数量，降低了所述可变电容器的电阻，从而提高了所述可变电容器的品质因子。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例中可变电容器的示意图；

图2为图1沿A-A’向的剖面示意图；

图3为图1沿B-B’向的剖面示意图；

图4为本实用新型第二实施例中可变电容器的示意图；

图5为本实用新型第三实施例中半导体器件的示意图。

具体实施方式