[实用新型]一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路有效
| 申请号： | 201420164104.1 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN203788021U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 刘宇;庞绍铭 | 申请（专利权）人： | 深圳市金溢科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 王仲凯 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路，复合通行卡包括：电池，自保护电路及负载电路；自保护电路和电池相连，用于根据触发信号断开或闭合，以控制电池对负载电路供电；自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET，N型MOSFET的栅极为触发信号的输入端，源极接地，漏极和P型MOSFET的栅极连接，P型MOSFET的源极和电池连接，漏极与负载电路连接。本实用新型实施例公开的复合通行卡能够有效地减少漏电，避免不必要的电量消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 复合 通行 用于 无线 充电 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种超薄复合通行卡，其特征在于，包括：电池，自保护电路及负载电路，所述自保护电路和所述电池相连，用于根据触发信号断开或闭合，以控制所述电池对所述负载电路供电；所述自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET，所述N型MOSFET的栅极为所述触发信号的输入端，源极接地，漏极和所述P型MOSFET的栅极连接，所述P型MOSFET的源极和电池连接，漏极与所述负载电路连接。
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