[实用新型]一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路有效
申请号: | 201420164104.1 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN203788021U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 刘宇;庞绍铭 | 申请(专利权)人: | 深圳市金溢科技股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超薄 复合 通行 用于 无线 充电 保护 电路 | ||
1.一种超薄复合通行卡,其特征在于,包括:
电池,自保护电路及负载电路,所述自保护电路和所述电池相连,用于根据触发信号断开或闭合,以控制所述电池对所述负载电路供电;
所述自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET,所述N型MOSFET的栅极为所述触发信号的输入端,源极接地,漏极和所述P型MOSFET的栅极连接,所述P型MOSFET的源极和电池连接,漏极与所述负载电路连接。
2.根据权利要求1所述的复合通行卡,其特征在于,所述自保护电路还包括和所述P型MOSFET漏极相连的电阻R4,所述N型MOSFET的漏极和所述P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24,所述P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和P型MOSFET的源极相连。
3.根据权利要求1所述的复合通行卡,其特征在于,所述自保护电路还包括两端分别与P型MOSFET的栅极和漏极相连的电容C30。
4.如权利要求1所述的复合通行卡,其特征在于,所述复合通行卡还包括天线,所述触发信号为所述天线耦合的电压信号,所述天线的工作频率为13.56MHz,用于在高速公路出入口和桌面读写器ODU通信。
5.根据权利要求1所述的复合通行卡,其特征在于,所述复合通行卡还包括无线充电电路,所述天线还用于接收无线充电信号后输入所述无线充电电路,对所述电池充电。
6.根据权利要求1所述的复合通行卡,其特征在于,所述电池为可充电薄膜电池。
7.如权利要求1至6任意一项所述的复合通行卡,其特征在于,所述复合通行卡的厚度为0.8至1.5mm。
8.一种基于防漏电设计的自保护电路,与电池相连,用于根据触发信号断开或闭合,以控制所述电池对负载电路供电,其特征在于:
所述自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET,所述N型MOSFET的栅极为所述触发信号的输入端,源极接地,漏极和所述P型MOSFET的栅极连接,所述P型MOSFET的源极和电池连接,漏极与所述负载电路连接。
9.根据权利要求8所述的电路,其特征在于,所述自保护电路还包括和所述P型MOSFET漏极相连的电阻R4,所述N型MOSFET的漏极和所述P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24,所述P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和P型MOSFET的源极相连。
10.根据权利要求9所述的电路,其特征在于,所述自保护电路还包括两端分别与P型MOSFET的栅极和漏极相连的电容C30。
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