[实用新型]一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及智能交通（ITS，Intelligent Transportation System）领域技术，特别涉及一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路。

背景技术

高速公路入口处，车主领取用于多义性路径识别系统的复合通行卡，车辆行驶过程中，该卡接收路侧设备发送的路径信息并保存，最后在高速公路出口可根据路径信息计算车辆行驶的路径而进行收费。

目前市场上使用的复合通行卡一般在5mm左右，这种卡片由于厚度较大，存在不易保存和不易使用的问题。因此，亟待开发一种厚度小、易保存、易使用的复合通行卡。

由于卡的厚度受到限制，无法使用电量较大、体积较大的一次性电池，因此采用电量较小的电池。对于这种薄型卡片，电量的合理使用非常关键，如果卡片在非工作状态下，电池对外供电的通路没有关闭，则会消耗电池的部分甚至全部电量，从而导致复合通行卡无法正常工作甚至导致卡片失效。例如，复合通行卡有可能在仓库中存储几个月甚至几年，厚卡由于本身电量较大，纵然有漏电，在取出仓库后仍然可以使用，但是薄卡就可能会因为已耗完所有电量而完全失效，这给用户带来了极大的不便。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种超薄复合通行卡及用于无线充电的自保护电路，能够有效地减少漏电，避免不必要的电量消耗。

一方面，本实用新型提供的复合通行卡包括：

电池，自保护电路及负载电路；所述自保护电路和所述电池相连，用于根据触发信号断开或闭合，以控制所述电池对所述负载电路供电；

所述自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET，所述N型MOSFET的栅极为所述触发信号的输入端，源极接地，漏极和所述P型MOSFET的栅极连接，所述P型MOSFET的源极和电池连接，漏极与所述负载电路连接。

进一步地，所述自保护电路还包括和所述P型MOSFET漏极相连的电阻R4，所述N型MOSFET的漏极和所述P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24，所述P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和P型MOSFET的源极相连。

进一步地，所述自保护电路还包括两端分别与P型MOSFET的栅极和漏极相连的电容C30。

进一步地，所述复合通行卡还包括天线，所述触发信号为所述天线耦合的电压信号，所述天线的工作频率为13.56MHz，用于在高速公路出入口和桌面读写器ODU通信。

进一步地，所述复合通行卡还包括无线充电电路，所述天线还用于接收无线充电信号后输入所述无线充电电路，对所述电池充电。

优选地，所述电池为可充电薄膜电池。

优选地，所述复合通行卡的厚度为0.8至1.5mm。

另一方面，本实用新型提供的用于无线充电的自保护电路，与电池相连，用于根据触发信号断开或闭合，以控制所述电池对负载电路供电；

所述自保护电路包括一个N型金属氧化层半导体场效晶体管MOSFET和一个P型MOSFET，所述N型MOSFET的栅极为所述触发信号的输入端，源极接地，漏极和所述P型MOSFET的栅极连接，所述P型MOSFET的源极和电池连接，漏极与所述负载电路连接。

进一步地，所述自保护电路还包括和所述P型MOSFET漏极相连的电阻R4，所述N型MOSFET的漏极和所述P型MOSFET的栅极之间还设置有电阻R24，所述P型MOSFET的栅极还通过电阻R21和P型MOSFET的源极相连。

进一步地，所述自保护电路还包括两端分别与P型MOSFET的栅极和漏极相连的电容C30。

从以上的技术方案可以看出，本实用新型实施例具有以下优点：

本实用新型实施例中，在电池与负载电路之间设置自保护电路，自保护电路根据触发信号断开或闭合，以控制电池对负载电路供电，利用自保护电路控制电池对外供电，从而能够有效地减少漏电，避免不必要的电量消耗。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对本实用新型实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的超薄复合通行卡的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的超薄复合通行卡内的电路的结构示意图。

具体实施方式