[实用新型]双标记板堆叠式管芯封装件与半导体封装件有效
| 申请号： | 201420084872.6 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN203859110U | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | F·T·琼斯;P·塞拉亚 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种双标记板堆叠式管芯封装件。要解决的技术问题之一是提供具有更好性能、更小形状因子、更高级管脚输出布置以及具有改进的制造性和可靠性的集成电路封装。半导体封装件包括第一管芯标记板和第二管芯标记板。第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯分别处在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上。功率控制集成电路IC堆叠在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上。模制化合物封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯以及所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板。取得的有益技术效果之一是取得了具有更好性能、更小形状因子、更高级管脚输出布置以及具有改进的制造性和可靠性的集成电路封装。本实用新型还提供半导体封装件。 | ||
| 搜索关键词： | 标记 堆叠 管芯 封装 半导体 | ||
【主权项】：
一种半导体封装件，其特征在于包括： 第一管芯标记板和第二管芯标记板，其中所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板由间隙分开； 第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯，其分别处在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上； 功率控制集成电路IC，其堆叠在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上； 模制化合物，其封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯以及所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板。
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