[实用新型]双标记板堆叠式管芯封装件与半导体封装件

说明书

技术领域

本实用新型中公开的实施方案总体上涉及电子技术，并且更确切地涉及一种半导体部件和其制作方法。 

背景技术

对于某些应用，需要将多个半导体集成电路(IC)、部件、芯片或管芯(die)封装在单个封装件中。例如，在电池保护电路应用中，功率控制IC和两个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)被一起封装在引线框架封装件中。电池保护封装件的最佳性能通过使用可能的最大MOSFET尺寸最小化漏-源极导通电阻(R_ds-on)来实现。然而，需要封装的IC的更小总尺寸来容纳不断缩小的电子装置。为了实现多个管芯在单个封装件中的更小的覆盖区，在可能的情况下使管芯彼此堆叠。 

然而，管芯的彼此堆叠确实对封装件的制造和可靠性提出了挑战。此外，连同缩小电子装置的需求，还一直存在改进任何集成电路封装件的制造的需求。因此，需要开发具有改进的制造性和可靠性的堆叠式管芯封装件。 

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题之一是提供具有更好性能、更小形状因子、更高级管脚输出布置以及具有改进的制造性和可靠性的集成电路封装。 

本实用新型一方面提供一种半导体封装件，包括：第一管芯标记板和第二管芯标记板，其中所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板由间隙分开；第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯，其分别处在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上；功率控制集成电路IC，其堆叠在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上；模制化合物，其封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯以及所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板。 

根据一个实施例，所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙在100微米与300微米之间。 

根据一个实施例，所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙小于200微米。 

根据一个实施例，所述模制化合物被布置在所述间隙之间，从而改进所述半导体封装件的可靠性。 

根据一个实施例，所述模制化合物具有小于所述间隙的一半宽度的平均填料尺寸。 

根据一个实施例，所述模制化合物由具有球体形状的填充材料构成。 

根据一个实施例，所述功率控制IC电耦合至第一引线和第二引线并且所述第一MOSFET管芯电耦合至第三引线并且所述第二MOSFET管芯电耦合至第四引线。 

根据一个实施例，所述第一MOSFET管芯电耦合至第五引线并且所述第二MOSFET管芯电耦合至第六引线。 

根据一个实施例，所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板是电耦合的。 

根据一个实施例，所述功率IC电耦合至所述第一MOSFET的栅极以及所述第二MOSFET的栅极和源极。 

本实用新型一方面提供一种双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于包括：第一和第二物理分开的管芯标记板，其中所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板由间隙分开；第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯，所述第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管管芯分别安装在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上并且电耦合至其所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板；功率控制集成电路IC，其通过非导电环氧树脂垂直地安装在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上；以及模制化合物，其封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯、所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板并且被布置在所述间隙中。 

根据一个实施例，所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙在100微米与300微米之间。 

根据一个实施例，所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙小于200微米。 

根据一个实施例，所述功率控制IC电耦合至第一引线和第二引线并且所述第一MOSFET管芯电耦合至第三引线和第四引线并且所述第二MOSFET管芯电耦合至第五引线和第六引线。 

根据一个实施例，所述模制化合物由填充材料构成，所述填充材料具有小于所述间隙的一半宽度的平均尺寸。 

根据一个实施例，所述模制化合物由具有球体形状的填充材料构成。