[实用新型]双标记板堆叠式管芯封装件与半导体封装件

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于包括： 

第一管芯标记板和第二管芯标记板，其中所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板由间隙分开； 

第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯，其分别处在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上； 

功率控制集成电路IC，其堆叠在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上； 

模制化合物，其封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯以及所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板。 

2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙在100微米与300微米之间。 

3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙小于200微米。 

4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述模制化合物被布置在所述间隙之间，从而改进所述半导体封装件的可靠性。 

5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述模制化合物具有小于所述间隙的一半宽度的平均填料尺寸。 

6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述模制化合物由具有球体形状的填充材料构成。 

7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述功率控制IC电耦合至第一引线和第二引线并且所述第一MOSFET管芯电耦合至第三引线并且所述第二MOSFET管芯电耦合至第四引线。 

8.如权利要求7所述的半导体封装件，其特征在于所述第一MOSFET管芯电耦合至第五引线并且所述第二MOSFET管芯电耦合至第六引线。 

9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板是电耦合的。 

10.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于所述功率IC电耦合至所述第一MOSFET的栅极以及所述第二MOSFET的栅极和源极。 

11.一种双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于包括： 

第一和第二物理分开的管芯标记板，其中所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板由间隙分开； 

第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯，所述第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管管芯分别安装在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上并且电耦合至所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板； 

功率控制集成电路IC，其通过非导电环氧树脂垂直地安装在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上；以及 

模制化合物，其封装所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯、所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板并且被布置在所述间隙中。 

12.如权利要求11所述的双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙在100微米与300微米之间。 

13.如权利要求11所述的双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板之间的所述间隙小于200微米。 

14.如权利要求11所述的双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于所述功率控制IC电耦合至第一引线和第二引线并且所述第一MOSFET管芯电耦合至第三引线和第四引线并且所述第二MOSFET管芯电耦合至第五引线和第六引线。 

15.如权利要求11所述的双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于所述模制化合物由填充材料构成，所述填充材料具有小于所述间隙的一半宽度的平均尺寸。 

16.如权利要求11所述的双标记板堆叠式管芯封装件，其特征在于所述模制化合物由具有球体形状的填充材料构成。 

17.一种半导体封装件，其特征在于包括： 

第一管芯标记板和第二管芯标记板，其中所述第一管芯标记板与所述第二管芯标记板由间隙分开，其中所述间隙小于200微米； 

分别在所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板上的第一和第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET管芯； 

在所述第一MOSFET管芯或所述第二MOSFET管芯中的至少一个的顶部上的功率控制集成电路IC； 

覆盖所述功率控制IC、所述第一MOSFET管芯和所述第二MOSFET管芯以及所述第一管芯标记板和所述第二管芯标记板的封装层，其中所述封装层在所述间隙中并且包括具有小于100微米的平均尺寸的填充材料。