[实用新型]平面型功率MOS器件有效
| 申请号： | 201420033813.6 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN203721733U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 殷允超;丁磊 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215621 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可以大幅降低制造成本的平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环极。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 功率 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环。
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