[实用新型]平面型功率MOS器件

权利要求书

1.一种平面型功率MOS器件，包括：半导体基板，半导体基板下部为重掺杂的第一导电类型衬底，上部为轻掺杂的第一导电类型漂移区；半导体基板上设置有由并联的单胞组成阵列布置的中心区即单胞区、位于单胞阵列外围的终端保护结构，单胞阵列通过导电多晶硅连成一个整体，终端保护结构包括位于内圈的场限环区和位于外围的截止环区，场限环区中设置有至少一个场限环，截止环区设置有至少一个截止环。

2.根据权利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述的中心区在第一导电类型漂移区上间断设置有至少一个栅极多晶硅区，所述的场限环区在第一导电类型漂移区上间断设置有至少一个场限环多晶硅区，所述的栅极多晶硅区、场限环多晶硅区与第一导电类型漂移区之间设有用于隔离的绝缘栅氧化层；相邻的栅极多晶硅区之间、相邻的场限环多晶硅区之间以及相邻的栅极多晶硅区与场限环多晶硅区之间在第一导电类型漂移区内分别设置有一个第二导电类型阱；中心区所对应的第二导电类型阱内设置有两个第一导电类型注入区；所述截止环区内对应的第二导电类型阱内设置有一个第一导电类型注入区；第一主面上覆盖有绝缘介质层，绝缘介质层在两两栅极多晶硅区之间及截止环区开设有接触孔，中心区的绝缘介质层和接触孔中淀积有中心区金属，形成源极，截止环区的绝缘介质层和接触孔中淀积有截止环金属；第二主面上淀积有第二金属，形成漏极。

3.根据权利要求2所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述的场限环区在第一导电类型漂移区间断设置有至少两个场限环多晶硅区。