[实用新型]一种射频功率放大器的封装结构有效

专利信息
申请号: 201420027769.8 申请日: 2014-01-15
公开(公告)号: CN203707104U 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 王云辉;王定军;喻德财 申请(专利权)人: 重庆中科战储电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31
代理公司: 云南派特律师事务所 53110 代理人: 龚笋根
地址: 408000 重庆市沙坪*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 实用新型涉及射频功率散热领域,尤其涉及一种射频功率放大器的封装结构,采用的技术方案:包括从上至下依次设置的功放管、PCB板及导热基座,所述的功放管、PCB板及导热基座通过回流焊连接在一起,并封装在绝缘层内。所述功放模块还包括至少4只引脚,该引脚在功放管一则一字排开。所述引脚包括信号输入端和信号输出端。本实用新型能够明显缩小射频功率放大器模块的尺寸,简化加工工序,同时极大地降低模块的整体成本。
搜索关键词: 一种 射频 功率放大器 封装 结构
【主权项】:
一种射频功率放大器的封装结构,包括从上至下依次设置的功放管、PCB板及导热基座,其特征在于:所述的功放管、PCB板及导热基座通过回流焊连接在一起,并封装在绝缘层内;所述的功放模块还包括至少4只引脚,该引脚在功放管一则一字排开;所述引脚包括信号输入端和信号输出端。 
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