[实用新型]一种射频功率放大器的封装结构有效
申请号: | 201420027769.8 | 申请日: | 2014-01-15 |
公开(公告)号: | CN203707104U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 王云辉;王定军;喻德财 | 申请(专利权)人: | 重庆中科战储电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/31 |
代理公司: | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人: | 龚笋根 |
地址: | 408000 重庆市沙坪*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本实用新型涉及射频功率散热领域,尤其涉及一种射频功率放大器的封装结构,采用的技术方案:包括从上至下依次设置的功放管、PCB板及导热基座,所述的功放管、PCB板及导热基座通过回流焊连接在一起,并封装在绝缘层内。所述功放模块还包括至少4只引脚,该引脚在功放管一则一字排开。所述引脚包括信号输入端和信号输出端。本实用新型能够明显缩小射频功率放大器模块的尺寸,简化加工工序,同时极大地降低模块的整体成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 射频 功率放大器 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种射频功率放大器的封装结构,包括从上至下依次设置的功放管、PCB板及导热基座,其特征在于:所述的功放管、PCB板及导热基座通过回流焊连接在一起,并封装在绝缘层内;所述的功放模块还包括至少4只引脚,该引脚在功放管一则一字排开;所述引脚包括信号输入端和信号输出端。
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