[实用新型]一种射频功率放大器的封装结构有效
| 申请号： | 201420027769.8 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN203707104U | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王云辉;王定军;喻德财 | 申请（专利权）人： | 重庆中科战储电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人： | 龚笋根 |
| 地址： | 408000 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频功率放大器的封装结构，包括从上至下依次设置的功放管、PCB板及导热基座，其特征在于：所述的功放管、PCB板及导热基座通过回流焊连接在一起，并封装在绝缘层内；所述的功放模块还包括至少4只引脚，该引脚在功放管一则一字排开；所述引脚包括信号输入端和信号输出端。
2.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器的封装结构，其特征在于：所述的绝缘层材料所采用的材料为阻燃的丙烯腈-丁二烯-苯乙烯。
3.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器的封装结构，所述的引脚为：信号输入端、栅极电压输入端、漏极电压输入端和功率信号输出端。
4.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器的封装结构，其特征在于：所述的输入端包括信号输入端、栅极电压输入端和漏极电压输入端。
5.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器的封装结构，其特征在于：所述的引脚与PCB板线路连接。
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