[发明专利]用于耐高电压驱动器的装置有效
| 申请号： | 201410858392.5 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104715790B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | C·H·刘;C·S·梁;Y·Y·何 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王英;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种用于耐高电压驱动器的装置，其包括：第一电源；比第一电源低的第二电源；串联耦合的并且被偏置的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管耦合到焊盘；耦合到第一电源和第一晶体管或第二晶体管之一的第一上拉晶体管；耦合到第一晶体管或第二晶体管之一的下拉晶体管；以及耦合到第二电源、下拉晶体管和第一晶体管或第二晶体管之一的第二上拉晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 电源 耦合到 驱动器 上拉晶体管 下拉晶体管 耐高电压 晶体管耦合 串联耦合 焊盘 偏置 | ||
【主权项】：
一种用于耐高电压的装置，所述装置包括：第一电源；第二电源，所述第二电源比所述第一电源低；串联耦合的且被偏置的第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管耦合到焊盘；与所述第一电源以及所述第一晶体管耦合的第一上拉晶体管；与所述第二晶体管耦合的下拉晶体管；以及与所述第二电源、所述下拉晶体管、以及所述第二晶体管耦合的第二上拉晶体管，其中所述第一上拉晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管以及所述下拉晶体管形成第一驱动器以在第一操作模式中工作，并且所述第二上拉晶体管、所述下拉晶体管以及所述第二晶体管形成第二驱动器以在第二操作模式中工作。
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