[发明专利]用于耐高电压驱动器的装置有效
申请号: | 201410858392.5 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN104715790B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | C·H·刘;C·S·梁;Y·Y·何 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 电源 耦合到 驱动器 上拉晶体管 下拉晶体管 耐高电压 晶体管耦合 串联耦合 焊盘 偏置 | ||
1.一种用于耐高电压的装置,所述装置包括:
第一电源;
第二电源,所述第二电源比所述第一电源低;
串联耦合的且被偏置的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管耦合到焊盘;
与所述第一电源以及所述第一晶体管耦合的第一上拉晶体管;
与所述第二晶体管耦合的下拉晶体管;以及
与所述第二电源、所述下拉晶体管、以及所述第二晶体管耦合的第二上拉晶体管,其中所述第一上拉晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管以及所述下拉晶体管形成第一驱动器以在第一操作模式中工作,并且所述第二上拉晶体管、所述下拉晶体管以及所述第二晶体管形成第二驱动器以在第二操作模式中工作。
2.如权利要求1所述的装置,其中,在所述第一上拉晶体管导通的所述第一操作模式中,所述第二上拉晶体管可操作的关断。
3.如权利要求1所述的装置,其中,在所述第一上拉晶体管关断的所述第二操作模式中,所述第二上拉晶体管可操作的导通。
4.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一晶体管和所述第一上拉晶体管是p型器件。
5.如权利要求1所述的装置,其中,所述第二晶体管和所述下拉晶体管是n型器件。
6.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一电源实质上为3.3V,并且所述第二电源在0.5V至1.2V的范围内。
7.如权利要求1所述的装置,其中,所述第二上拉晶体管是p型器件。
8.一种用于耐高电压的驱动器,所述驱动器包括:
与第一电源耦合的第一上拉晶体管,所述第一上拉晶体管能够由第一前级驱动器控制;
与第二电源耦合的第二上拉晶体管,所述第二上拉晶体管能够由第二前级驱动器控制;
串联耦合的并被偏置的第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和所述第二晶体管耦合到焊盘,所述第一晶体管和所述第二晶体管将所述第一上拉晶体管与所述第二上拉晶体管间隔开,所述第一晶体管与所述第一上拉晶体管耦合,并且所述第二晶体管与所述第二上拉晶体管耦合;以及
与所述第二上拉晶体管耦合的第一下拉晶体管,
其中所述第一上拉晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管以及所述第一下拉晶体管形成第一驱动器以在第一操作模式中工作,并且所述第二上拉晶体管、所述第一下拉晶体管以及所述第二晶体管形成第二驱动器以在第二操作模式中工作。
9.如权利要求8所述的驱动器,其中,在所述第一上拉晶体管导通的所述第一操作模式中,所述第二上拉晶体管可操作的关断。
10.如权利要求8所述的驱动器,其中,在所述第一上拉晶体管关断的所述第二操作模式中,所述第二上拉晶体管可操作的导通。
11.如权利要求8所述的驱动器,其中,所述第一电源大于所述第二电源。
12.如权利要求8所述的驱动器,其中,所述第一上拉晶体管、所述第二上拉晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管、以及所述第一下拉晶体管是USB传输器的一部分。
13.如权利要求8所述的驱动器,进一步包括:
与所述第一电源耦合的第三上拉晶体管,所述第三上拉晶体管能够由第三前级驱动器控制;
与所述第二电源耦合的第四上拉晶体管,所述第四上拉晶体管能够由第四前级驱动器控制;
串联耦合的并被偏置的第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管和所述第四晶体管耦合到焊盘,所述第三晶体管和所述第四晶体管将所述第三上拉晶体管与所述第四上拉晶体管间隔开;以及
与所述第二上拉晶体管耦合的第二下拉晶体管。
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