[发明专利]沟槽型双层栅MOS及工艺方法在审
| 申请号： | 201410853978.2 | 申请日： | 2014-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104538451A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 陈晨 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/532;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS，其栅极沟槽内包含有第一多晶硅及第二多晶硅，形成双层栅，所述第一多晶硅位于沟槽下部，与沟槽之间间隔有介质层，第一多晶硅上方具有热氧化介质层及高密度等离子氧化膜；第二多晶硅位于高密度等离子氧化膜上方的沟槽内，与沟槽之间间隔有栅氧化层；所述第二多晶硅与栅氧化层之间还间隔有接触孔接膜层。本发明还公开了所述沟槽型双层栅MOS的工艺方法，通过本发明工艺制备的沟槽型双层栅MOS，解决了源端与漏端之间漏电的问题，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 双层 mos 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双层栅MOS，其栅极沟槽内包含有第一多晶硅及第二多晶硅，形成双层栅，所述第一多晶硅位于沟槽下部，与沟槽之间间隔有介质层，第一多晶硅上方具有热氧化介质层及高密度等离子氧化膜；第二多晶硅位于高密度等离子氧化膜上方的沟槽内，与沟槽之间间隔有栅氧化层；其特征在于：所述第二多晶硅与栅氧化层之间还间隔有接触孔接膜层。
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